[发明专利]包含具有低铝含量的电子势垒的半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，包括：

衬底；

有源区；以及

包括具有Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分的铝镓铟砷磷合金的电子阻止层。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分的含量x的范围是从0.20至0.55。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分的含量y是0，并且所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分具有Al_0.3In_0.7As_0.5P_0.5组分。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分的含量y是0，并且所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分具有Al_0.35In_0.65As_0.5P_0.5组分。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分的含量y是0，并且所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分具有Al_0.4In_0.6As_0.5P_0.5组分。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述电子阻止层的晶格常数与所述衬底的晶格常数相匹配。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述电子阻止层的晶格常数具有相对于所述衬底的晶格常数的晶格失配。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其中，所述电子阻止层的晶格常数具有相对于所述衬底的晶格常数的在±1％内的晶格失配。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述衬底包括铟磷(InP)。

10.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中，所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分的含量y是0，并且所述Al_xGa_yIn_(1-x-y)As_zP_(1-z)组分是Al_xIn_(1-x)As_zP_(1-z)组分。