[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在第一晶体管上形成第一绝缘体，该第一晶体管的沟道形成区域包括半导体衬底的一部分；

在所述第一绝缘体上形成第二晶体管，该第二晶体管的沟道形成区域包括氧化物半导体；

在所述第二晶体管上形成第二绝缘体；

在所述第二绝缘体中形成开口，该开口到达所述第二晶体管；

在所述第二绝缘体上形成第一导电体，该第一导电体嵌入在所述第二绝缘体的所述开口中；

去除所述第一导电体的一部分，以使所述第二绝缘体的顶面露出；

在所述第一导电体上形成阻挡层；

对所述阻挡层及所述第二绝缘体进行氧等离子体处理；

在所述阻挡层及所述第二绝缘体上形成第三绝缘体；以及

在所述第三绝缘体上形成第二导电体，

其中，所述阻挡层、所述第三绝缘体及所述第二导电体互相重叠且被用作电容器，

并且，所述第一绝缘体、所述阻挡层及所述第三绝缘体都对氧及氢具有阻挡性。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第二绝缘体包含通过CVD法形成的氧氮化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述阻挡层包含通过ALD法形成的氮化钽。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述阻挡层包含通过ALD法形成的氧化铝。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第三绝缘体包含通过溅射法形成的氧化铝。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过所述氧等离子体处理去除包含在所述第二绝缘体中的杂质。

7.一种半导体装置，包括：

第一晶体管上的第一绝缘体，该第一晶体管的沟道形成区域包括半导体衬底的一部分；

所述第一绝缘体上的第二晶体管，该第二晶体管的沟道形成区域包括氧化物半导体；

所述第二晶体管上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达所述第二晶体管的开口；

嵌入在所述第二绝缘体的所述开口中的第一导电体；

所述第一导电体上的阻挡层；

所述阻挡层及所述第二绝缘体上的第三绝缘体；以及

所述第三绝缘体上的第二导电体，

其中，所述阻挡层、所述第三绝缘体及所述第二导电体互相重叠且被用作电容器，

并且，所述第一绝缘体、所述阻挡层及所述第三绝缘体都对氧及氢具有阻挡性。

8.一种半导体装置，包括：

第一晶体管上的第一绝缘体，该第一晶体管的沟道形成区域包括半导体衬底的一部分；

所述第一绝缘体上的第二晶体管，该第二晶体管的沟道形成区域包括氧化物半导体；

所述第二晶体管上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达所述第二晶体管的开口；

嵌入在所述第二绝缘体的所述开口中的第一导电体；

所述第一导电体上的阻挡层；

所述阻挡层及所述第二绝缘体上的第三绝缘体；以及

所述第三绝缘体上的第二导电体，

其中，所述阻挡层、所述第三绝缘体及所述第二导电体互相重叠且被用作电容器，

并且，所述阻挡层对氧及氢具有阻挡性。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中所述第一导电体、所述阻挡层、所述第三绝缘体及所述第二导电体互相重叠且被用作所述电容器。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中在设置有所述第二晶体管的区域的边缘，所述第一绝缘体与所述阻挡层相互接触，以包围所述第二晶体管及所述第二绝缘体。

11.根据权利要求7或8所述的半导体装置，其中所述第一导电体为电连接于所述第二晶体管的布线。