[发明专利]用于MRI或其他超导磁体的斜变的导线和热断开

权利要求书

1.一种用于与超导磁体绕组（20）电连接和从超导磁体绕组（20）电断开的自动电连接/断开设备，所述设备包括：

接触器（40），其具有致动器（42）和电端子（46、47），当所述接触器（40）断开时，所述电端子（46、47）与彼此电隔离，并且当所述接触器闭合时，所述电端子（46、47）经由与致动器（42）的接触而被电连接；

高温超导体（HTS）导线（60），其具有至少25 K的超导临界温度（T_C，HTS）；以及

一个或多个电导体（70、71），其将所述接触器的磁体侧电端子（47）与所述高温超导体（HTS）导线的第一端（62）、被连接到或被配置用于连接到所述超导磁体绕组的所述高温超导体（HTS）导线的第二端（64）电连接。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括：

第一级热站（52），其与所述高温超导体（HTS）导线（60）的所述第一端（62）热连接，所述第一级热站具有低于所述高温超导体（HTS）导线的所述超导临界温度（T_C，HTS）的第一级温度（T₁）。

3.根据权利要求2所述的设备，还包括：

第二级热站（54），其与所述高温超导体（HTS）导线（60）的所述第二端（64）热连接，所述第二级热站具有低于所述超导磁体绕组（20）的超导临界温度（T_C）的第二级温度（T₂）。

4.根据权利要求3所述的设备，还包括：

二级压缩氦低温制冷器（50），其具有所述第一级热站（52）和所述第二级热站（54）。

5.根据权利要求2所述的设备，其中，所述高温超导体（HTS）导线（60）的所述第二端（64）被布置为被设置在液氦（154）中，所述磁体绕组（20）浸没在所述液氦内。

6.根据权利要求2-5中的任一项所述的设备，还包括：

热屏蔽（56），其与所述第一级热站（52）热接触。

7.根据权利要求1-5中的任一项所述的设备，还包括：

具有内部空间（34）的设备壳体（32），所述设备壳体容纳所述接触器（40）的至少所述电端子（46、47）、所述高温超导体（HTS）导线（60）和所述一个或多个电导体（70、71）；以及

密封电馈通件（36），其穿过所述设备壳体的壁，并且与所述接触器的第二电端子（46）电连接，当所述接触器断开时，所述第二电端子与所述接触器的所述磁体侧端子隔离。

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的设备，其中，所述接触器是通常断开的机电接触器（40），所述通常断开的机电接触器还包括响应于所述致动器（42）的激活而移动以闭合所述接触器的电导体（44）。

9.根据权利要求1-5中的任一项所述的设备，其中，所述高温超导体（HTS）导线（60）包括铋锶钙铜氧化物（BSCCO）、钇钡铜氧化物（YBCO）或二硼化镁（MgB₂）。

10.一种超导磁体，包括：

低温容器（22，32）；

超导磁体绕组（20），其被设置在所述低温容器中；

密封电馈通件（36），其穿过所述低温容器；

接触器（40），其被设置在所述低温容器中并且具有致动器（42）、馈通件侧电端子（46）和磁体侧电端子（47），所述馈通件侧电端子与所述密封电馈通件电连接，当所述接触器（40）断开时，所述磁体侧电端子与所述馈通件侧电端子电隔离，并且当所述接触器闭合时，所述磁体侧电端子经由与致动器（42）的接触而与所述馈通件侧电端子电连接；以及

高温超导体（HTS）导线（60），其被设置在所述低温容器中；

其中，所述高温超导体（HTS）导线具有与所述接触器的所述磁体侧电端子电连接的第一端（62）和被电连接到所述超导磁体绕组的第二端（64）。