[发明专利]固态图像摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固态图像摄像装置，其特征在于，其具有：

衬底，多个像素呈二维状地排列在所述衬底的上表面一侧；

第一导电型的第一杂质区域，其设在所述衬底内；

第二导电型的受光部，其设在多个所述像素中的每个像素上，且形成在所述第一杂质区域内，并对入射光进行光电转换；

第二导电型的溢出漏极区域，其在所述衬底内设在所述第一杂质区域下；

第二导电型的第二杂质区域，其在所述第一杂质区域内，与所述溢出漏极区域相连，并与所述溢出漏极区域一起构成将在所述受光部产生的过量电荷排出的排出路径；以及

反射膜，其在所述衬底上或所述衬底内，位于与从所述受光部观察时来自外部的光入射的方向相反的一侧。

2.根据权利要求1所述的固态图像摄像装置，其特征在于，

在所述溢出漏极区域和所述第二杂质区域，形成有电位梯度，以便该固态图像摄像装置工作时电荷被从所述受光部排出。

3.根据权利要求1或2所述的固态图像摄像装置，其特征在于，

所述固态图像摄像装置还具有形成在所述第一杂质区域的上部的第二导电型的漏极区域。

4.根据权利要求1到3中任一项权利要求所述的固态图像摄像装置，其特征在于，

所述反射膜是绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的固态图像摄像装置，其特征在于，

所述衬底具有包括所述绝缘膜的SOI衬底。

6.根据权利要求1到5中任一项权利要求所述的固态图像摄像装置，其特征在于，

在所述衬底中位于所述溢出漏极区域的下方的区域设有吸杂层，所述吸杂层中含有从碳、氮或钼中选出的至少一者。

7.根据权利要求1到6中任一项权利要求所述的固态图像摄像装置，其特征在于，

所述反射膜由氧化硅形成，

所述反射膜的厚度在100nm以上200nm以下。

8.根据权利要求1到7中任一项权利要求所述的固态图像摄像装置，其特征在于，

所述溢出漏极区域由外延层构成，所述溢出漏极区域的杂质浓度在1×10¹⁶atoms/cm³以上1×10¹⁸atoms/cm³以下。

9.一种固态图像摄像装置的制造方法，其特征在于，

所述固态图像摄像装置的制造方法包括：

通过外延生长在具有反射膜的SOI衬底上形成溢出漏极区域的工序，

在所述溢出漏极区域上形成第一导电型的第一杂质区域的工序，以及

在所述第一杂质区域内，形成与所述溢出漏极区域相接的第二导电型的第二杂质区域和第二导电型的受光部的工序；

所述溢出漏极区域是第二导电型。