[发明专利]微体积沉积腔室

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

盖，所述盖具有下表面；

基板支座，所述基板支座具有上表面，所述上表面面向所述盖的所述下表面；以及

内挡环，所述内挡环包括多个开口，所述内挡环定位在所述盖的所述下表面与所述基板支座的所述上表面之间，其中所述内挡环可在装载位置与处理位置之间移动。

2.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括真空衬垫，所述真空衬垫环绕所述处理腔室的外边缘，所述真空衬垫包括延伸部，当所述内挡环位于所述装载位置中时，所述延伸部支撑所述内挡环。

3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述基板支座的向上移动造成所述基板支座的所述上表面接触所述内挡环，并将所述内挡环升高离开所述延伸部，以移动到所述处理位置。

4.如权利要求3所述的处理腔室，其中所述基板支座包括边缘环，所述边缘环经定位以接触所述内挡环。

5.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括真空气室和开口，所述真空气室在所述处理腔室的侧壁中，所述开口形成所述真空气室与处理区域之间的流体连接，所述处理区域由所述盖、所述内挡环及基板支座所定义。

6.如权利要求5所述的处理腔室，其中所述侧壁中的所述开口与所述内挡环中的至少一个开口基本上对准。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述盖进一步包括凹部，所述凹部经设定尺寸以在所述内挡环位于所述处理位置时，与所述内挡环的顶边缘配合地相互作用。

8.如权利要求7所述的处理腔室，其中所述盖中的所述凹部进一步包括至少一个密封环，以在所述内挡环位于所述处理位置时，在所述盖与所述内挡环之间形成密封。

9.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括外挡环，所述外挡环具有多个开口及内径，所述内径大于所述内挡环的外径。

10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述外挡环处于与所述盖的所述下表面接触的固定位置，使得当所述内挡环位于所述处理位置时，所述内挡环在所述外挡环之内。

11.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述外挡环具有内径，所述内径经设定尺寸以配合所述基板支座的周围。

12.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述多个开口与所述处理腔室的侧壁中的开口对准，所述开口与所述侧壁中的真空气室流体连接。

13.一种处理腔室，包括：

侧壁、下壁和盖，所述盖具有下表面，所述侧壁具有真空气室和开口，所述开口形成所述真空气室与所述处理腔室的内部之间的流体连接；

基板支座，所述基板支座具有上表面，所述上表面面向所述盖的所述下表面，所述基板支座可移动以使得所述上表面可经移动以更靠近或更远离所述盖的所述下表面；

衬垫，所述衬垫相邻于所述侧壁且具有延伸部，所述延伸部向内径向延伸；

外挡环，所述外挡环包括多个开口，所述开口与所述侧壁中的所述开口对准；以及

内挡环，所述内挡环包括多个开口，所述内挡环定位在所述盖的所述下表面与所述基板支座的所述上表面之间，所述内挡环可在装载位置与处理位置之间移动，在所述装载位置中，所述内挡环接触所述衬垫的所述延伸部。

14.如权利要求13所述的处理腔室，其中所述基板支座的向上移动造成所述基板支座的所述上表面接触所述内挡环，并将所述内挡环升高离开所述延伸部，以移动到所述处理位置。

15.如权利要求14所述的处理腔室，其中所述基板支座包括边缘环，所述边缘环经定位以接触所述内挡环。