[发明专利]LC谐振元件和谐振元件阵列在审

专利信息
申请号: 201780023338.0 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN110100290A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 吉泽正充 申请(专利权)人: 野田士克林股份有限公司
主分类号: H01F27/00 分类号: H01F27/00;H01G4/40;H03H5/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 黄刚;车文
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 介电膜 上表面 公共电极 电容器 第一电容器 薄膜导线 上部电极 外部连接端子 薄膜电感器 薄膜电容器 薄膜导体 平面视图 元件阵列 下表面
【说明书】:

LC谐振元件(10)包括:介电膜(12);在介电膜的下表面(12D)上由薄膜导体形成的公共电极(11);经由公共电极(11)串联连接且构成薄膜电容器(TC)的第一电容器(C1)和第二电容器(C2);在介电膜的上表面(12U)上形成的第一和第二外部连接端子(14A;14B);构成薄膜电感器(TL)的薄膜导线(16);在上表面(12U)上形成的第一电容器的第一上部电极(13A);和在上表面(12U)上形成的第二电容器的第二上部电极(13B)。在位于介电膜的上表面(12U)上且在平面视图中在公共电极(11)的外侧的区域(R2)中形成薄膜导线(16)。

技术领域

本发明涉及一种LC谐振元件和一种包括多个LC谐振元件的谐振元件阵列,并且更具体地涉及一种包括薄膜电容器和薄膜电感器的LC谐振元件。

背景技术

传统上,例如,作为包括薄膜电容器和薄膜电感器的LC谐振元件,已知在专利文献1中公开的技术。专利文献1公开了一种用于通过使用薄膜形成技术在同一介电基板上一体地形成电感(电感器)L和电容(电容器)C而减小LC谐振器的尺寸的技术。

相关技术文献

专利文献

专利文献1:日本未审专利申请公布特开平4-213208

发明内容

发明要解决的问题

然而,利用上述传统技术,在介电基板上的完全不同的区域中形成电感器和电容器。另外,不在介电基板上的任何区域中形成外部电极。因此,存在进一步减小LC谐振元件的尺寸的余地。

利用上述传统技术,在介电基板中形成通孔以便形成电感器和电容器的并联电路(见专利文献1的图7)。由于该原因,存在结构变复杂的缺点。

发明的公开内容

因此,在本说明书中,提供能够进一步减小尺寸且具有简单结构的LC谐振元件和谐振元件阵列。

解决问题的手段

在本说明书中公开的LC谐振元件包括:薄膜电容器和薄膜电感器的并联电路;介电膜,所述介电膜具有上表面和与所述上表面相反的下表面;在所述下表面上由薄膜导体形成的公共电极;第一电容器和第二电容器,所述第一电容器和所述第二电容器经由所述公共电极串联连接且构成所述薄膜电容器;第一外部连接端子和第二外部连接端子,所述第一外部连接端子和所述第二外部连接端子被形成在所述上表面上;薄膜导线,在位于所述上表面上且在平面视图中在所述公共电极的外侧的区域中形成所述薄膜导线,所述薄膜导线构成所述薄膜电感器,并且所述薄膜导线连接所述第一外部连接端子和所述第二外部连接端子;被连接到所述第一外部连接端子的第一上部电极,在所述上表面的在平面视图中在所述公共电极上的区域中形成所述第一上部电极,所述第一上部电极与所述公共电极及所述介电膜一起形成所述第一电容器;和被连接到所述第二外部连接端子的第二上部电极,在所述上表面的在平面视图中在所述公共电极上的区域中形成所述第二上部电极,所述第二上部电极与所述公共电极及所述介电膜一起形成所述第二电容器。

根据这种构造,薄膜电容器包括经由公共电极串联连接的第一电容器和第二电容器。利用薄膜电容器的这种构造,薄膜电感器由在位于上表面上且在平面视图中在公共电极的外侧的区域中形成的薄膜导线形成。第一外部连接端子和第二外部连接端子被形成在介电膜的上表面上。因此,利用这种构造,LC谐振元件的尺寸被进一步减小,并且其结构被简化。

如果在平面视图中薄膜电感器与公共电极重叠,则在薄膜电感器和公共电极之间形成静电电容,并且LC并联谐振电路中的Q值减小。然而,薄膜电感器位于公共电极的外侧,从而使得能够避免Q值的减小。

在LC谐振元件中,薄膜导线可以被形成为环形。

根据这种构造,薄膜导线被形成为环形,并且因此如与将薄膜导线形成为直线形状的情形相比较,能够容易获得期望的电感。

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