[发明专利]无铅低熔点组合物、密封材料、导电用材料以及电子部件有效

专利信息
申请号: 201780023979.6 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN109071322B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 池田拓朗 申请(专利权)人: 日本山村硝子株式会社
主分类号: C03C3/23 分类号: C03C3/23;C03C3/247;C03C3/253;H01L31/0224;H01L33/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 冯雅;董庆
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 无铅低 熔点 组合 密封材料 导电 用材 以及 电子 部件
【权利要求书】:

1.一种低熔点组合物,它是包含选自由Mo和P构成的组M1的1种或2种的构成要素、选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Y、镧系元素、Ti、Zr、Nb、Ta、Mn、Fe、Co、Zn、B、Ga、In、Si、Ge、Sn、Bi和Te构成的组M2的1种或2种以上的构成要素、以及构成要素Ag、I和O而形成的低熔点组合物;

在规定质量的该组合物中,

(a)相对于具有正的离子价数的全部原子摩尔数的和,属于组M1的原子摩尔数的总和所占比例为5~30%,Ag原子摩尔数所占比例为69~92%;

(属于组M2的原子摩尔数的总和)/(属于组M1的原子摩尔数的总和)为0.01~0.7;

(b)相对于具有负的离子价数的全部原子摩尔数的和,I原子摩尔数所占比例为15~65%,O原子摩尔数所占比例为35~85%;

(c)相对于具有负的离子价数的全部原子摩尔数的和,I原子摩尔数和O原子摩尔数的和所占比例至少为90%;并且

(d)Pb原子的含量、F原子的含量和Cl原子的含量的任一含量都不到1000ppm。

2.如权利要求1所述的低熔点组合物,其中,所述组M2不包括Ga和Bi、且所述组M2中的镧系元素为La。

3.如权利要求1或2所述的低熔点组合物,它是含有Mo的低熔点组合物。

4.一种低熔点密封材料,它是包含权利要求1~3中任一项所述的低熔点组合物而形成的低熔点密封材料。

5.一种电子部件,它是利用权利要求4所述的低熔点密封材料密封而成的电子部件。

6.一种电子部件,它是包含隔着权利要求4所述的低熔点密封材料相互接合的2个以上的构件而形成的电子部件。

7.如权利要求6所述的电子部件,它是晶体振子、半导体元件、SAW元件或者有机EL元件。

8.一种导电用材料,它是包含金属粉末、溶剂和权利要求1~3中任一项所述的低熔点组合物的粉末而成的导电用材料。

9.一种电子部件,它包含由权利要求8所述的导电用材料所形成的布线。

10.如权利要求9所述的电子部件,它是硅太阳能电池或者压电元件。

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