[发明专利]在化学气相沉积工艺期间的动态晶片校平、倾斜、旋转

权利要求书

1.一种控制气体分配组件与基板支撑件之间的处理间距的方法，所述基板支撑件设置在所述气体分配组件对面，所述方法包含下列步骤：

(a)在设置在所述基板支撑件上的基板上沉积层；

(b)测量所述基板上的所述层的厚度；

(c)计算所述基板上的参考位置与所述基板上的多个其余位置之间的厚度差；

(d)基于所述参考位置与所述多个其余位置之间的所述厚度差，决定所述多个其余位置相对于所述参考位置的处理间距调整量；及

(e)实时地动态调整所述处理间距，以减少所述参考位置与所述多个其余位置中的各其余位置之间的所述厚度差，其中所述动态调整步骤发生在所述层的进一步沉积步骤期间。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤：

(f)重复步骤(a)至(e)直到所述沉积完成。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述动态调整步骤包括下列步骤：在沉积期间校平、倾斜、旋转或摇晃所述基板支撑件或所述基板，且其中所述动态调整步骤进一步包括下列步骤：改变所述基板支撑件的平面相对于所述气体分配组件的角度及间距。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述动态调整步骤包含下列步骤：

持续地改变所述多个其余位置的各者的平面，其中所述动态调整步骤发生于多个枢转点。

5.如权利要求1所述的方法，其中决定所述处理间距调整量的步骤包含下列步骤：

决定所述参考位置与所述多个其余位置中的各其余位置之间的厚度差，除以用于在所述基板上形成所述层的沉积时间；及

乘以先前决定的相关因子，以提供所述层的改善的厚度均匀性，其中所述相关因子与一比例成正比，所述比例是间距的改变量除以所述层的沉积厚度速率。

6.一种控制气体分配组件与基板支撑件之间的处理间距的方法，所述基板支撑件设置在所述气体分配组件对面，所述方法包含下列步骤：

在耦合至所述基板支撑件的第一安装位置处动态调整所述基板支撑件；及

在耦合至所述基板支撑件的第二安装位置处动态调整所述基板支撑件，其中在所述第一安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤及在所述第二安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤发生在化学气相沉积工艺期间且为实时的，以减少进一步沉积期间沉积不均匀性的差异。

7.如权利要求6所述的方法，其中在所述第一安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤及在所述第二安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤同时发生。

8.如权利要求6所述的方法，其中在所述第一安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤及在所述第二安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤各自发生于不同的时间，以及重复在所述第一安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤及在所述第二安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤，直到所述化学气相沉积工艺完成。

9.如权利要求6所述的方法，进一步包含下列步骤：

在耦合至所述基板支撑件的第三安装位置处动态调整所述基板支撑件，其中在所述第三安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤发生在所述化学气相沉积工艺期间且为实时的，以减少沉积不均匀性的差异。

10.如权利要求9所述的方法，其中在所述第一安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤、在所述第二安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤及在所述第三安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤同时发生。

11.如权利要求9所述的方法，其中在所述第一安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤、在所述第二安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤及在所述第三安装位置处动态调整所述基板支撑件的步骤各自开始于不同的时间。