[发明专利]具有等离子体限制特征的基板支撑基座

权利要求书

1.一种基板支撑基座，包括：

陶瓷主体，具有顶面及底面；

柱，耦合至所述主体的所述底面；

顶电极，安置在所述主体内，所述顶电极安置在所述主体的所述顶面附近；

屏蔽电极，安置在所述主体内，所述屏蔽电极安置在所述主体的所述底面附近；

导电杆，安置成穿过所述柱且耦合至所述顶电极；以及

多个加热器元件，安置在所述主体内。

2.如权利要求1所述的基板支撑基座，还包括：

接地网，安置在所述主体内，所述接地网安置在所述主体的所述底面附近；以及

接地管，安置成穿过所述柱且耦合至所述接地网，所述接地管具有内中空部分，其中所述导电杆被安置成穿过所述接地管的所述内中空部分。

3.如权利要求2所述的基板支撑基座，还包括：

加热器电力供应线路，耦合至所述加热器元件，其中所述加热器电力线路被安置成穿过所述柱。

4.如权利要求3所述的基板支撑基座，其中所述加热器电力供应线路被安置成穿过所述接地管的所述内中空部分。

5.如权利要求3所述的基板支撑基座，其中所述加热器电力供应线路被安置在所述接地管的所述内中空部分外面。

6.如权利要求3所述的基板支撑基座，其中所述杆为具有圆柱形形状的RF管，其中所述加热器电力供应线路被安置在所述RF管内。

7.如权利要求1所述的基板支撑基座，其中所述杆具有安置在与所述顶电极相对的末端处的电容器，其中所述杆通过所述电容器耦合至接地，其中所述电容器被配置为用于变化所述杆的阻抗。

8.一种半导体处理腔室，包括：

主体，具有侧壁、盖和底部，其中所述侧壁、盖及底部定义内部处理环境；

喷淋头组件，具有面板，所述面板向RF源提供阴极；以及

基座，安置在所述处理环境中，所述基座包括：

柱；

主体，包括陶瓷材料，所述主体具有顶面及底面，其中所述底面耦合至所述柱；

电极，封装在所述主体内，所述电极安置在所述顶面附近且具有被安置成穿过所述柱的中心电极；

多个加热器元件，封装在所述主体内，所述多个加热器元件具有被安置成穿过所述柱的加热器电极；以及

底部网，封装在所述主体内，其中所述中心电极安置在所述底部网的传输与返回电极之间。

9.如权利要求8所述的半导体处理腔室，还包括：

接地管，被安置成穿过所述柱且耦合至所述底部网，所述接地管具有内中空部分，其中所述中心电极被安置成穿过所述内中空部分，其中所述加热器电极被安置成穿过所述接地管的所述内中空部分。

10.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述加热器电极被安置在所述接地管的所述内中空部分外。

11.如权利要求9所述的半导体处理腔室，其中所述中心电极为具有圆柱形形状的RF管。

12.如权利要求11所述的半导体处理腔室，其中所述加热器电力供应线路被安置在所述RF管内。

13.如权利要求11所述的半导体处理腔室，其中所述加热器电力供应线路被安置在所述RF管外。

14.如权利要求8所述的半导体处理腔室，其中所述中心电极具有电容，所述电容安置在与所述电极相对的末端处从而形成虚拟接地，其中所述中心电极通过所述电容器耦合至接地杆，其中所述电容器被配置为用于变化所述中心电极的阻抗。

15.一种基板支撑基座，包括：

陶瓷主体，具有顶面及底面；

柱，耦合至所述主体的所述底面；

顶电极，安置在所述主体内，所述顶电极安置在所述主体的所述顶面附近；

多个加热器元件，安置在所述主体内、在所述顶电极之间；

屏蔽电极，安置在所述主体内，所述屏蔽电极安置在所述主体的所述底面附近；

接地管，安置在所述柱中且耦合至所述屏蔽电极，其中所述接地管在形状上为圆柱体；

多个加热器传输线路，耦合至所述多个加热器元件且安置在所述接地管的所述圆柱体内；

RF管，安置在所述柱中的所述接地管内且电耦合至所述顶电极，其中所述RF管在形状上是圆柱形的且具有安置在其中的所述加热器传输线路。