[发明专利]V1和更高层可编程ECO标准单元

权利要求书

1.一种包括多个区域的金属氧化物半导体(MOS)器件，所述MOS器件包括：

在所述器件的第一区域中的第一多个p型MOS(pMOS)晶体管和第一多个n型MOS(nMOS)晶体管，所述第一多个pMOS晶体管中的每一者和所述第一多个nMOS晶体管中的每一者具有鳍，所述第一多个pMOS晶体管包括具有第一pMOS晶体管栅极、第一pMOS晶体管源极和第一pMOS晶体管漏极的第一pMOS晶体管，所述第一多个nMOS晶体管包括具有第一nMOS晶体管栅极、第一nMOS晶体管源极和第一nMOS晶体管漏极的第一nMOS晶体管，所述第一pMOS晶体管栅极和所述第一nMOS晶体管栅极由跨所述器件在第一方向上延伸的第一栅极互连形成；以及

在所述器件的第二区域中的第二多个未利用的pMOS晶体管和第二多个未利用的nMOS晶体管，所述第二区域毗邻于所述第一区域，所述第二多个未利用的pMOS晶体管中的每一者和所述第二多个未利用的nMOS晶体管中的每一者具有鳍，所述第一区域中的所述第一多个pMOS晶体管和所述第一多个nMOS晶体管的鳍与所述第二区域中的所述第二多个未利用的pMOS晶体管和所述第二多个未利用的nMOS晶体管的鳍断开连接。

2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，进一步包括：

在所述第一区域中在所述第一方向上延伸的第一金属一(M1)层互连，所述第一M1层互连被耦合到所述第一pMOS晶体管源极；

在所述第一区域中在所述第一方向上延伸的第二M1层互连，所述第二M1层互连被耦合到所述第一pMOS晶体管漏极；

在所述第一区域中在所述第一方向上延伸的第三M1层互连，所述第三M1层互连被耦合到所述第一nMOS晶体管源极；以及

在所述第一区域中在所述第一方向上延伸的第四M1层互连，所述第四M1层互连被耦合到所述第一nMOS晶体管漏极。

3.如权利要求2所述的MOS器件，其特征在于，进一步包括在所述第一区域和所述第二区域中延伸的第五M1层互连，所述第五M1层互连被耦合到所述第一栅极互连。

4.如权利要求3所述的MOS器件，其特征在于，所述第五M1层互连在所述第一区域中在与所述第一方向正交的第二方向上延伸。

5.如权利要求3所述的MOS器件，其特征在于，所述第五M1层互连在所述第二区域中主要在所述第一方向上延伸。

6.如权利要求3所述的MOS器件，其特征在于，进一步包括在所述第二区域中在所述第一方向上延伸的第六M1层互连。

7.如权利要求6所述的MOS器件，其特征在于，进一步包括：

在所述第一区域和所述第二区域中延伸的第七M1层互连，所述第七M1层互连被耦合到第一电压源；以及

在所述第一区域和所述第二区域中延伸的第八M1层互连，所述第八M1层互连被耦合到第二电压源，所述第二电压源具有小于所述第一电压源的电压。

8.如权利要求7所述的MOS器件，其特征在于，所述第一M1层互连和所述第三M1层互连由第一掩模形成，其中所述第二M1层互连、和所述第四M1层互连和所述第六M1层互连由不同于所述第一掩模的第二掩模形成，其中所述第五M1层互连、所述第七M1层互连和所述第八M1层互连由第三掩模形成，所述第三掩模不同于所述第一掩模和所述第二掩模。

9.如权利要求7所述的MOS器件，其特征在于，所述第二M1层互连和所述第四M1层互连由第一掩模形成，其中所述第一M1层互连、和所述第三M1层互连和所述第六M1层互连由不同于所述第一掩模的第二掩模形成，其中所述第五M1层互连、所述第七M1层互连和所述第八M1层互连由第三掩模形成，所述第三掩模不同于所述第一掩模和所述第二掩模。