[发明专利]利用选定的蚀刻剂气体混合物以及调整操作变量修整无机抗蚀剂的方法

权利要求书

1.一种修整在集成方案中的无机抗蚀剂的方法，所述方法包括：

将基底设置在处理室中，所述基底具有无机抗蚀剂层和下层，所述下层包括氧化物层、钛氮化物层和基础层，所述无机抗蚀剂层具有无机抗蚀剂图案；

进行无机抗蚀剂修整工艺以选择性除去所述基底上的无机抗蚀剂图案的一部分，所述修整工艺使用第一蚀刻剂气体混合物并产生第一图案；以及

控制所述集成方案的所选择的两个或更多个操作变量以实现目标集成目的，其中所述操作变量包括处理室压力、处理室温度、修整工艺时间、静电吸盘温度、在11mHz至15mHz下的低频功率和在60mHz至80mHz下的高频功率；

其中所述第一蚀刻剂气体混合物包含含氟气体和稀释气体；以及

其中所述目标集成目的包括目标临界尺寸、目标线边缘粗糙度和目标线宽粗糙度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述无机抗蚀剂层为SnO_x，其中x为不为零的数。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述SnO_x为SnO或SnO₂。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一蚀刻剂气体混合物包括CH₃F和/或所述稀释气体为氩气。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述修整工艺时间在2秒至15秒的范围内，所述目标临界尺寸在10nm至35nm的范围内，所述目标线边缘粗糙度在0nm至2.0nm的范围内，以及所述目标线宽粗糙度在0nm至2.0nm的范围内。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述静电吸盘温度在40℃至60℃的范围内，以及所述处理室温度在10℃至80℃的范围内。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述高频功率在90W至500W的范围内以及所述低频功率在90W至180W的范围内。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述无机抗蚀剂图案包括线和间隙图案和/或接触孔图案。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在进行所述无机抗蚀剂修整工艺之后，使用第二蚀刻剂气体混合物进行氧化物蚀刻工艺并产生第二图案；

使用第三蚀刻剂气体混合物进行穿透蚀刻工艺并产生第三图案；

使用第四蚀刻剂气体混合物进行钛氮化物蚀刻工艺并产生最后的图案。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述所选择的两个或更多个操作变量还包括氧化物蚀刻工艺时间、穿透蚀刻工艺时间和钛氮化物蚀刻工艺时间。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第三蚀刻剂气体混合物包含BCl₃。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第四蚀刻剂气体混合物包含Cl₂/CH₄/Ar。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述无机抗蚀剂修整工艺通过基于所述无机抗蚀剂图案的所测量的临界尺寸调整所述修整工艺时间来控制。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述无机抗蚀剂修整工艺通过调整所述处理室温度、所述处理室压力和/或基于所述无机抗蚀剂图案的所测量的临界尺寸调整所述修整工艺时间来控制。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述无机抗蚀剂修整工艺通过调整所述低频功率、所述高频功率、所述静电吸盘温度和/或基于所述无机抗蚀剂图案的所测量的临界尺寸调整所述修整工艺时间来控制。