[发明专利]光波导集成光接收元件及其制造方法有效
申请号: | 201780024438.5 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN109075219B | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 名田允洋;村本好史;松崎秀昭 | 申请(专利权)人: | 日本电信电话株式会社 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;G02B6/12 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙纪泉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 集成 接收 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种光波导集成光接收元件,包括:
第一接触层,所述第一接触层由第一导电类型的化合物半导体制成;
第二接触层,所述第二接触层由第二导电类型的化合物半导体制成;
光吸收层,所述光吸收层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层和所述第二接触层之间;
增倍层,所述增倍层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层及所述第二接触层中的一者与所述光吸收层之间;以及
光波导,所述光波导布置在所述第二接触层的与布置所述光吸收层的一侧相反的一侧上,具有与所述光吸收层的平面平行的波导方向,并且与所述第二接触层光学耦合,
其中,所述第二接触层在平面图中具有比所述光吸收层的面积小的面积,并且在所述平面图中布置在所述光吸收层的内侧。
2.根据权利要求1所述的光波导集成光接收元件,还包括所述第二导电类型的光学匹配层,所述光学匹配层形成为与所述第二接触层的布置所述光吸收层的一侧接触,并且
所述光学匹配层的杂质浓度等于或小于所述第二接触层的杂质浓度。
3.根据权利要求1或2所述的光波导集成光接收元件,还包括钝化层,所述钝化层构造成覆盖包括所述第一接触层、所述第二接触层、所述光吸收层和所述增倍层的光接收元件的侧部,并且
所述钝化层的折射率比形成所述光接收元件的半导体的折射率低。
4.一种制造光波导集成光接收元件的方法,所述方法包括:
第一步:在基板上生产光接收元件,所述光接收元件包括:
第一接触层,所述第一接触层由第一导电类型的化合物半导体制成;
第二接触层,所述第二接触层由第二导电类型的化合物半导体制成;
光吸收层,所述光吸收层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层和所述第二接触层之间;以及
增倍层,所述增倍层由化合物半导体制成并且形成在所述第一接触层及所述第二接触层中的一者与所述光吸收层之间,
其中,所述第二接触层在平面图中具有比所述光吸收层的面积小的面积,并且布置在所述光吸收层的内侧;
第二步:生产包括光波导的光波导基板;以及
第三步:将所述基板和所述光波导基板进行晶片结合并获得下述状态:在所述状态下,所述光波导布置在所述第二接触层的与布置所述光吸收层的一侧相反的一侧上,所述光波导具有与所述光吸收层的平面平行的波导方向,并且与所述第二接触层光学耦合。
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