[发明专利]半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法

说明书

在RC‑IGBT芯片的半导体测试电路中，将探针的接触次数限制在最低限度而连续进行多个测试。将继电器(RL1)配置在电源(1)与开关元件(3)之间，将继电器(RL2)配置在开关元件(3)和RC‑IGBT芯片(8)的连接点与缓冲电路(4)之间，将继电器(RL3)配置在开关元件(3)和RC‑IGBT芯片(8)的连接点与线圈(L2)之间，将继电器(RL4)配置在二极管(D1)与开关元件(3)之间。IGBT部(8a)的接通/关断测试是使继电器(RL2、RL4)接通，IGBT部(8a)的雪崩测试是使继电器(RL2)接通，IGBT部(8a)的短路测试是使继电器(RL1)接通，FWD部(8b)的恢复测试是使继电器(RL1、RL3)接通。此时，探针的接触次数为一次。

技术领域

本发明涉及将由探针导致的对于半导体芯片的接触损伤抑制到最低限度且能够连续实施半导体芯片的多个动态特性测试的半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法。

背景技术

在功率半导体芯片中，在利用切割将晶片单片化之后，通过分别进行其动态特性测试来进行所有芯片分选。作为功率半导体芯片，已知有功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、FWD(Free WheelingDiode：续流二极管)等。功率MOSFET和IGBT通过串联连接由线圈、二极管、电阻或电容器构成的负载，并对栅极施加接通/关断信号来进行动态特性测试(例如参照专利文献1)。对于FWD，也是同样地通过串联连接负载线圈和开关元件，并使开关元件开关来进行动态特性测试(例如参照专利文献1、2)。

然而，作为功率半导体芯片，开发了使IGBT部与FWD部单芯片化而得的反向导通IGBT(以下称为RC-IGBT(Reverse Conducting-IGBT))。在该RC-IGBT中也进行IGBT部的动态特性测试和FWD部的动态特性测试。然而，IGBT部的动态特性测试和FWD部的动态特性测试是分别使用IGBT用测试装置和FWD用测试装置来进行。即，首先，在IGBT用测试装置中，在其测试电极上载置集电极朝下的RC-IGBT芯片，使探针接触RC-IGBT芯片的发射极和栅电极来进行IGBT部的动态特性测试。接下来，将RC-IGBT芯片转移到FWD用测试装置，在其测试电极上载置阴极(集电极)朝下的RC-IGBT芯片，使探针接触RC-IGBT芯片的阳极(发射极)来进行FWD部的动态特性测试。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-107432号公报

专利文献2：日本特开2015-232501号公报

发明内容

技术问题

然而，在现有的RC-IGBT芯片的测试中，由于经过2次测试工序，所以使发射极接触探针的次数也为2次，因探针而导致的接触痕迹增加。另外，RC-IGBT芯片由于需要用2个测试装置重新设置、输送，所以存在测试时间变长的问题。

本发明是鉴于这样的情况而做出的，目的在于提供能够在使探针保持着接触RC-IGBT芯片的状态下进行RC-IGBT芯片的IGBT部和FWD部的特性测试的半导体测试电路、半导体测试装置和半导体测试方法。

技术方案