[发明专利]RF返回条带屏蔽盖罩

说明书

本文描述的实施方式一般涉及一种具有屏蔽盖罩的基板支撑组件。在一个实施方式中，本文公开一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括支撑板、多个RF返回条带、至少一个屏蔽盖罩以及杆。所述支撑板被构造为支撑基板。所述多个RF返回条带耦接到所述支撑板的底表面。至少一个屏蔽盖罩耦接到所述支撑板的底表面，在所述多个RF返回条带与所述底表面之间。所述杆耦接到所述支撑板。

技术领域

本文描述的实施方式一般涉及基板支撑组件，并且更具体地，涉及具有至少一个屏蔽盖罩的基板支撑组件，所述至少一个屏蔽盖罩被构造为防止等离子体电弧放电。

背景技术

平板显示器(FPD)通常用于有源矩阵显示器，诸如计算机和电视机监视器、个人数字助理(PDA)和手机，以及太阳能电池等。等离子体增强化学气相沉积(PECVD)可以用于平板显示器制造，以在真空处理腔室内支撑在基板支撑组件上的基板上沉积薄膜。PECVD一般通过将前驱物气体激励成真空处理腔室内的等离子体并从激励的前驱物气体在基板上沉积膜来实现。

当前驱物气体被激励时，在处理腔室中形成RF电流返回路径。RF电流从喷头穿过基板支撑组件沿着RF电流返回条带向下移动到腔室底部，并且沿着处理腔室的侧壁向上返回到腔室盖。随着处理腔室大小增加，RF电流返回路径的路径长度增加。RF电流返回路径的长度长造成基板支撑组件与处理腔室的侧壁之间的大电压降。大电压降可能不期望地引起侧壁与基板支撑组件之间的电弧放电。

此外，由于RF电流返回条带一般具有环形形状，因此延行穿过条带的RF电流可以在某些条件下通过感应耦接来激励存在于基板支撑组件下方的气体以形成寄生等离子体。寄生等离子体可促成在基板支撑组件下方的不希望的沉积，这可能在之后变成为污染源并且不期望地减少腔室清洁的时间间隔，并且还可能通过等离子体引起的侵蚀和电弧放电而攻击腔室部件，从而降低腔室部件的使用寿命。

因此，需要一种改进基板支撑组件。

发明内容

本文描述的实施方式一般涉及一种具有屏蔽盖罩的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括支撑板、多个RF返回条带、至少一个屏蔽盖罩以及杆。支撑板被构造为支撑基板并耦接到杆。多个RF返回条带耦接到支撑板并在支撑板的底表面下方延伸。至少一个屏蔽盖罩耦接到支撑板并且覆盖最靠近支撑板的周边的多个RF返回条带中的至少一个的侧面的至少一部分。

在另一实施方式中，本文公开一种处理腔室。处理腔室包括腔室主体和基板支撑组件。腔室主体包括盖、侧壁和底壁，它们限定腔室主体中的处理区域。基板支撑组件设置在处理区域上。基板支撑组件包括支撑板、多个RF返回条带、至少一个屏蔽盖罩以及杆。支撑板耦接支撑板并且被构造为支撑基板。多个RF返回条带耦接在支撑板与腔室主体的底部之间。至少一个屏蔽盖罩耦接到支撑板。至少一个屏蔽盖罩设置在多个RF返回条带中的至少一个与腔室主体的侧壁之间。

在另一实施方式中，本文公开一种处理基板的方法。方法包括将基板放置在设置在处理腔室中的基板支撑组件上。在处理腔室内产生等离子体，其中用于产生等离子体的RF电流行进通过耦接基板支撑组件和处理腔室的主体的RF返回条带。基板支撑组件具有设置在腔室主体与RF返回条带的一部分之间的屏蔽盖罩。方法进一步包括在基板暴露于等离子体下的同时在设置在基板支撑组件上的基板上沉积一层材料。

附图说明

为了可详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述可以参考实施方式进行，实施方式中的一些示出在随附附图中。然而，将注意，随附附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实施方式。

图1示出了根据一个实施方式的处理腔室的横截面图。

图2示出了根据一个实施方式的图1的基板支撑组件的底视图。

图3是根据一个实施方式的处理腔室的部分横截面图，其中屏蔽盖罩以虚线示出来显露RF电流返回条带。