[发明专利]堆叠差异的确定和使用堆叠差异的校正

说明书

一种方法，包括：获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量，该测量是使用测量辐射获得的；以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数，其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正，堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标之间的物理配置中的非设计差异。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年4月22日提交的EP申请16166614.4的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于可用于例如通过光刻技术来制造器件的检查(量测)的方法和装置，以及使用光刻技术来制造器件的方法。

背景技术

光刻装置是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可以使用备选地称为掩模或掩模版的图案形成装置来生成待形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括部分、一个或若干裸片)上。图案的转印通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含相继被图案化的相邻目标部分的网络。

在图案化工艺(即，涉及图案化的创建器件或其他结构的工艺(诸如光刻曝光或压印)，其通常可以包括一个或多个相关联的处理步骤，诸如抗蚀剂的显影、蚀刻等)中，期望确定(例如，测量，使用对图案化工艺的一个或多个方面进行建模的一个或多个模型进行模拟，等等)一个或多个感兴趣参数，诸如结构的临界尺寸(CD)、形成在衬底中或在衬底上的相继层之间的套刻精度误差等。

期望确定由图案化工艺创建的结构的这样的一个或多个感兴趣参数，并且将它们用于与图案化工艺相关的设计、控制和/或监测，例如，用于工艺设计、控制和/或验证。图案化结构的所确定的一个或多个感兴趣参数可以用于图案化工艺设计、校正和/或验证、缺陷检测或分类、产量估计和/或工艺控制。

因此，在图案化工艺中，经常需要对所创建的结构进行测量，例如用于工艺控制和验证。已知各种用于进行这样的测量的工具，包括经常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量套刻精度(器件中的两个层的对准精度的量度)的专用工具。套刻精度可以根据两个层之间的未对准程度来描述，例如对1nm的所测量的套刻精度的引用可以描述两个层未对准1nm的情况。

已经开发了各种形式的检查装置(例如，量测装置)用于光刻领域。这些设备将辐射束引导到目标上并且测量经重定向的(例如，经散射的)辐射的一个或多个属性(例如根据波长变化的单个反射角度处的强度；根据反射角变化的一个或多个波长处的强度；或者根据反射角变化的偏振)，以获得可以根据其来确定目标的感兴趣的性质的“光谱”。感兴趣的性质的确定可以通过各种技术来执行：例如通过诸如严格耦合波分析或有限元方法等迭代方法重建目标；库搜索；以及主成分分析。

检查装置(例如，散射仪)所使用的目标是相对较大(例如，40μm×40μm)的周期性结构(例如，光栅)，并且测量光束生成小于周期性结构的斑点(即，周期性结构欠充满)。这可以简化目标的数学重构，因为它可以被视为无限大。然而，为了减小目标的尺寸，例如减小到10μm×10μm或更小，例如使得它们可以被定位在产品特征之间而不是在划道中，已经提出了其中使周期性结构小于测量斑点(即，周期性结构被过填充)的量测方法。典型地，这样的目标是使用暗场散射测量来测量的，其中零阶衍射(对应于镜面反射)被阻挡，并且仅处理高阶。暗场测量的示例可以在PCT专利申请公开No.WO 2009/078708和WO 2009/106279中找到，其全部内容通过引用并入本文。该技术的进一步发展在美国专利申请公开No.US2011-0027704、US 2011-0043791和US 2012-0242970中已经描述，这些申请中的每个也通过引用整体并入本文。使用衍射阶的暗场检测的基于衍射的套刻精度可以对较小的目标进行套刻精度测量。这些目标可以小于照射斑点并且可以被衬底上的产品结构包围。目标可以包括可以在一个图像中测量的多个周期性结构。