[发明专利]改进的基板支撑件

说明书

描述了一种用于处理基板的设备。更具体地，本公开内容的实施方式涉及一种用于在处理期间使用湍流加热和冷却基板的改进的基板支撑件。通过在通道内产生湍流，在较短的时间段内传递更大量的热。本设计是具有成本效益的并有利地提供温度传递的更均匀的分布。在一个实施方式中，公开了一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括：静电吸盘，具有与基板接触的表面；和支撑板，与所述静电吸盘相邻。所述支撑板包括一个或多个通道、一个或多个端部空间、以及一个或多个插塞。所述基板支撑组件也包括耦接到所述支撑板的轴。

技术领域

本公开内容的实施方式总体涉及一种用于处理基板的设备。更具体地，本公开内容的实施方式涉及一种用于在处理期间加热和冷却基板的改进的基板支撑件。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)一般用于在基板(诸如半导体基板、太阳能面板基板和液晶显示器(liquid crystaldisplay,LCD))上沉积薄膜。PECVD一般通过将前驱物气体引入具有设置在基板支撑件上的基板的真空腔室中完成。前驱物气体通过被引导通过位于真空腔室的顶部附近的气体分配板。通过从耦接到腔室的一个或多个射频(radio frequency,RF)源向腔室施加RF功率，真空腔室中的前驱物气体被激励(例如，激发)成等离子体。被激发的气体进行反应以在定位在温度受控的基板支撑件上的基板的表面上形成材料层。分配板一般连接到RF功率源，并且基板支撑件通常连接到提供RF电流返回路径的腔室主体。

在使用PECVD工艺来沉积的薄膜中一般期望均匀性。例如，通常使用PECVD在平板上沉积非晶硅膜，诸如微晶硅膜或多晶硅膜，以形成在晶体管或太阳能电池中所需的p-n结。非晶硅膜或多晶硅膜的质量和均匀性对于商业运作来说是重要的。

在处理期间，沉积均匀性和间隙填充对源构造、气流变化或温度是敏感的。在一些处理期间，基板放置在诸如静电吸盘(electrostatic chuck,ESC)的基板支撑件上以用于处理。吸盘用于保持基板以防止基板在处理期间的移动或失准。静电吸盘使用静电吸力将基板保持就位。在显示处理期间，不同的化学反应需要不同的温度以用于在基板上的均匀沉积。加热机构和冷却机构包括焊接在基板支撑件上的管道。然而，焊接管道的问题包括不均匀的加热和冷却、处理花费大量时间来加热或冷却基板、以及成本相当昂贵。

因此，需要一种改进的基板支撑件。

发明内容

本公开内容的实施方式总体涉及一种用于处理基板的设备。更具体地，本公开内容的实施方式涉及一种用于在处理期间加热和冷却基板的改进的基板支撑件。

在一个实施方式中，公开了一种基板支撑组件。所述基板支撑组件包括静电吸盘和耦接到所述静电吸盘的支撑板。所述支撑板包括一个或多个通道、一个或多个端部空间、以及一个或多个插塞。所述基板支撑组件进一步包括耦接到所述支撑板的轴。

在另一个实施方式中，描述了一种支撑板。所述支撑板与静电吸盘相邻。所述支撑板包括设置在所述支撑板内的一个或多个通道、设置在所述一个或多个通道内的一个或多个端部空间、以及设置在所述一个或多个通道内的一个或多个插塞。

在另一个实施方案中，描述了一种腔室。所述腔室包括限定处理容积的腔室主体、设置在所述腔室主体内的静电器件、以及耦接到所述静电吸盘的支撑板。所述支撑板包括设置在所述支撑板内的一个或多个通道、设置在所述一个或多个通道内的一个或多个端部空间、以及一个或多个插塞。所述腔室也可包括设置在所述支撑板与所述腔室主体之间的轴。

附图说明

为了可详细地理解本公开内容的上述特征所用方式，可以参考实施方式获得上文简要地概述的本公开内容的更特定的描述，实施方式中的一些示出在随附附图中。然而，将注意，随附附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实施方式。