[发明专利]接合用铜糊料、接合体的制造方法及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种接合用铜糊料，其是含有铜粒子、含铜以外的金属元素的第二粒子以及分散介质的接合用铜糊料，其中，

所述铜粒子含有50％体积平均粒径为0.12μm以上且0.8μm以下的亚微米铜粒子和50％体积平均粒径为2μm以上且50μm以下的微米铜粒子，

所述亚微米铜粒子的含量及所述微米铜粒子的含量之和以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为80质量％以上，

所述亚微米铜粒子的含量以所述亚微米铜粒子的质量及所述微米铜粒子的质量的合计为基准，为30质量％以上且90质量％以下，

所述第二粒子的含量以所述铜粒子及所述第二粒子的质量的合计为基准，为0.01质量％以上且10质量％以下。

2.根据权利要求1所述的接合用铜糊料，其中，所述第二粒子为金属粒子。

3.根据权利要求2所述的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有选自锌、银、金、铂、锡、铟、钒、铝、镍、锑及钯中的至少1种金属。

4.根据权利要求2所述的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子含有选自锌、银、锡、铟及钒中的至少1种金属。

5.根据权利要求2所述的接合用铜糊料，其中，所述金属粒子是锌粒子。

6.根据权利要求5所述的接合用铜糊料，其中，所述锌粒子的长宽比为4以上。

7.根据权利要求2所述的接合用铜糊料，其含有2种以上的所述金属粒子。

8.根据权利要求1所述的接合用铜糊料，其中，所述第二粒子是脂肪酸金属盐粒子。

9.根据权利要求8所述的接合用铜糊料，其中，所述脂肪酸金属盐粒子含有碳原子数为8以上且18以下的脂肪酸与银、镍或锌的脂肪酸金属盐。

10.根据权利要求8所述的接合用铜糊料，其中，所述脂肪酸金属盐粒子含有选自硬脂酸锌、硬脂酸银、月桂酸锌、月桂酸镍及2-乙基己酸锌中的至少1种脂肪酸金属盐。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的接合用铜糊料，其中，所述第二粒子的50％体积平均粒径为150μm以下。

12.根据权利要求1～10中任一项所述的接合用铜糊料，其用于受到进行接合的构件的自重、或者在受到此自重的基础上还受到0.01MPa以下的压力的状态下的接合。

13.根据权利要求11所述的接合用铜糊料，其用于受到进行接合的构件的自重、或者在受到此自重的基础上还受到0.01MPa以下的压力的状态下的接合。

14.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：

准备层叠有第一构件、以及在该第一构件的自重作用方向一侧上依次为权利要求1～13中任一项所述的接合用铜糊料及第二构件的层叠体，在受到所述第一构件的自重、或者受到所述第一构件的自重及0.01MPa以下的压力的状态下对所述接合用铜糊料进行烧结的工序，

所述第一构件及所述第二构件中的至少一个为半导体元件。

15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，所述进行烧结的工序中的烧结温度为300℃以下。

16.一种接合体，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的权利要求1～13中任一项所述的接合用铜糊料的烧结体。

17.根据权利要求16所述的接合体，其中，所述第一构件及所述第二构件中的至少一个在其与所述烧结体相接触的面中含有选自银、金、铂及钯中的至少1种金属。

18.一种半导体装置，其具备第一构件、第二构件、以及将所述第一构件与所述第二构件接合的权利要求1～13中任一项所述的接合用铜糊料的烧结体，

所述第一构件及所述第二构件中的至少1个为半导体元件。