[发明专利]化合物半导体及其用途

权利要求书

1.一种由以下化学式1表示的化合物半导体，包含：Co-Sb方钴矿化合物；包含在所述Co-Sb方钴矿化合物的内部空隙中的Sn和S；和取代所述Co-Sb方钴矿化合物的Sb的Q：

[化学式1]

Sn_xS_yCo₄Sb_12-zQ_z

其中在化学式1中，Q为选自O、Se和Te中的至少一种，其中0x0.2，0y≤1，以及0z12，

其中在化学式1中，x相对于1mol y的摩尔比为0.1mol至0.9mol。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x相对于1mol y的摩尔比为0.2mol至0.8mol。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，z在0z≤4的范围内。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x相对于1mol z的摩尔比为0.01mol至0.5mol。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中在化学式1中，x相对于1mol z的摩尔比为0.05mol至0.3mol。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中所述Co-Sb方钴矿化合物每单位晶格包含两个空隙。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体，其中所述化合物半导体为N型化合物半导体。

8.一种用于制备根据权利要求1所述的化合物半导体的方法，包括以下步骤：

形成包含Sn、S、Co、Sb以及选自O、Se和Te中的至少一种元素的混合物；以及

对所述混合物进行热处理。

9.根据权利要求8所述的用于制备化合物半导体的方法，其中所述热处理步骤在400℃至800℃下进行。

10.根据权利要求8所述的用于制备化合物半导体的方法，其中所述热处理步骤包括两个或更多个热处理步骤。

11.根据权利要求8所述的用于制备化合物半导体的方法，还包括在对所述混合物进行热处理之后的压力烧结步骤。

12.一种热电转换装置，包含根据权利要求1至7中任一项所述的化合物半导体。

13.一种太阳能电池，包含根据权利要求1至7中任一项所述的化合物半导体。