[发明专利]多层陶瓷基板

权利要求书

1.一种多层陶瓷基板，其特征在于，

所述多层陶瓷基板具备：

层叠的多个基体层，该多个基体层含有低温烧结陶瓷材料；

多个第一约束层，该多个第一约束层含有在所述低温烧结陶瓷材料的烧结温度下实质上不烧结的金属氧化物，并且配置在所述基体层之间；以及

保护层，该保护层含有所述金属氧化物，并且配置于表面，使得与所述基体层相接，

在将所述保护层的表面部的所述金属氧化物的含有比率设为X1、将所述保护层的与基体层的边界部的所述金属氧化物的含有比率设为X2时，满足X1＞X2。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在将所述保护层的表面部的热膨胀系数设为α11、将所述保护层的与基体层的边界部的热膨胀系数设为α22时，满足α11＜α22。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述保护层包括与所述基体层相接的第二约束层和配置于最表面的最表面层，

所述第二约束层及所述最表面层均含有所述金属氧化物，

在将所述最表面层中的所述金属氧化物的含有比率设为x1、将所述第二约束层中的所述金属氧化物的含有比率设为x2时，满足x1＞x2。

4.根据权利要求3所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在将所述最表面层的热膨胀系数设为α12、将所述第二约束层的热膨胀系数设为α23时，满足α12＜α23。

5.根据权利要求3或4所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在所述第二约束层设置有布线导体，

所述保护层还包括被覆陶瓷层，该被覆陶瓷层配置在所述第二约束层上，使得覆盖所述第二约束层上的布线导体的周缘。

6.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述保护层仅包括与所述基体层相接的第二约束层，

所述第二约束层含有所述金属氧化物，

在所述第二约束层的表面上设置有所述金属氧化物的含有比率比第二约束层的其他区域高的区域。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在所述第二约束层的表面上设置有热膨胀系数比第二约束层的其他区域低的区域。

8.根据权利要求1或2所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

所述保护层包括与所述基体层相接的第二约束层和配置在所述第二约束层上的被覆陶瓷层，

在所述第二约束层设置有布线导体，

所述被覆陶瓷层配置于最表面，使得覆盖所述第二约束层上的布线导体的周缘，

所述被覆陶瓷层含有所述金属氧化物，

在所述被覆陶瓷层的表面上设置有所述金属氧化物的含有比率比被覆陶瓷层的其他区域高的区域。

9.根据权利要求8所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在所述被覆陶瓷层的表面上设置有热膨胀系数比被覆陶瓷层的其他区域低的区域。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在将所述保护层的中心部的所述金属氧化物的含有比率设为X3时，满足X1＞X3＞X2。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在将所述保护层的中心部的热膨胀系数设为α33时，满足α11＜α33＜α22。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在将所述基体层中的所述金属氧化物的含有比率设为Y时，满足X2＞Y。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的多层陶瓷基板，其特征在于，

在将所述基体层的热膨胀系数设为β时，满足α22＜β。