[发明专利]沟槽MOS型肖特基二极管有效
| 申请号： | 201780025908.X | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN109075214B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木公平;东胁正高 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 型肖特基 二极管 | ||
1.一种沟槽MOS型肖特基二极管，其特征在于，具有：
包括Ga2O3系单晶的第1半导体层；
包括Ga2O3系单晶的第2半导体层，其是层叠于上述第1半导体层的层，具有沟槽，上述沟槽在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧的面上开口；
阳极电极，其形成在上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反的一侧的面上；
阴极电极，其形成在上述第1半导体层的与上述第2半导体层相反的一侧的面上；
绝缘膜，其覆盖上述第2半导体层的上述沟槽的内表面；以及
沟槽MOS栅极，其埋入于上述第2半导体层的上述沟槽内从而被上述绝缘膜覆盖，与上述阳极电极接触，
上述第2半导体层的施主浓度为1.0×1015cm-3以上且3.0×1017cm-3以下，
上述第2半导体层的厚度(Te)为2.0μm以上且50μm以下，并且，
当上述沟槽的深度即从上述第2半导体层与上述阳极电极的界面至上述绝缘膜的最下部的深度(Dt)＜上述第2半导体层的厚度(Te)时，
1μA的漏电流所对应的反向电压即耐压处于300V以上且10kV以下的范围。
2.根据权利要求1所述的沟槽MOS型肖特基二极管，
上述第2半导体层的施主浓度为3.0×1016cm-3以上且6.0×1016cm-3以下，
上述第2半导体层的厚度为4.5μm以上且9μm以下，并且，
当上述沟槽的深度(Dt)为2μm以上且6μm以下时，
1μA的漏电流所对应的反向电压即耐压为600V～1200V，上述阳极电极与上述第2半导体层的界面的势垒高度的最小值为0.7eV。
3.根据权利要求2所述的沟槽MOS型肖特基二极管，
上述第2半导体层的厚度为5.5μm以上。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的沟槽MOS型肖特基二极管，
上述绝缘膜的下表面被介电常数比上述绝缘膜的介电常数低的绝缘体覆盖。
5.根据权利要求4所述的沟槽MOS型肖特基二极管，
上述绝缘膜的最下部的正下方的上述绝缘体的厚度为200nm以上。
6.根据权利要求4所述的沟槽MOS型肖特基二极管，
当上述绝缘体的厚度为Tb时，上述第2半导体层的厚度为Te，上述沟槽的深度为Dt，以及上述绝缘体的厚度即Tb满足Dt＜Te≤Dt+Tb的关系。
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