[发明专利]用于石墨烯的电解铜箔以及用于生产该电解铜箔的方法有效
申请号: | 201780026204.4 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN109072467B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 赵泰真;李先珩;朴瑟气;宋基德 | 申请(专利权)人: | 日进材料股份有限公司 |
主分类号: | C25D3/38 | 分类号: | C25D3/38;C25D5/50;C25D7/06;C01B32/182;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 宋天丹;鲁恭诚 |
地址: | 韩国全罗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 石墨 电解 铜箔 以及 生产 方法 | ||
1.一种用于合成单层石墨烯薄膜的电解铜箔,其中,热处理后的电解铜箔的S面的Rz粗糙度基于以下关系式1限定:
关系式1:0.05≤(电解铜箔的M面的Rz粗糙度/热处理后的S面的Rz粗糙度)/电解铜箔的厚度≤0.2,
其中,所述热处理是在180摄氏度至220摄氏度的温度下执行持续50分钟至80分钟,
其中,在用于石墨烯的电解铜箔上合成石墨烯之后,石墨烯的电阻为300欧姆/平方或更小,
其中,在关系式1中,电解铜箔的M面的Rz粗糙度为0.3μm至3.0μm,电解铜箔的厚度为4μm至70μm。
2.一种用于生产权利要求1所述的用于石墨烯的电解铜箔的方法,其中,在铜电解液中的总有机碳(TOC)浓度保持在3ppm或更低且铜电解液中的氯浓度保持在1ppm或更低的条件下,在铜电解液中执行铜箔的镀覆。
3.如权利要求2所述的用于生产用于石墨烯的电解铜箔的方法,其中,当镀覆铜箔时,电解液的温度为30摄氏度至70摄氏度并且电流密度为30ASD至150ASD。
4.如权利要求2所述的用于生产用于石墨烯的电解铜箔的方法,其中,当镀覆铜箔时,电解液中的铜浓度为60g/L至140g/L,并且电解液中的硫酸浓度为70g/L至200g/L。
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