[发明专利]抗等离子蚀刻膜及其制造方法

说明书

本发明涉及一种用于在基底(2)的表面上制造抗等离子体蚀刻膜(1)的方法，其中所述方法包括形成膜的步骤，所述膜包含在稀土金属氧化物第一层(3)上的稀土金属氧化物、稀土金属碳酸盐或稀土金属氧碳酸盐或其任何混合物的中间层(4)，其中稀土金属在第一层和中间层中是相同的。本发明进一步涉及一种抗等离子体蚀刻膜及其用途。

技术领域

本发明涉及一种用于在基底表面上制造抗等离子体蚀刻膜的方法。本发明还涉及一种在基底表面上的抗等离子体蚀刻膜。本发明还涉及一种抗等离子体蚀刻膜的用途。

背景技术

等离子体反应室的表面和组件在使用过程中经受苛刻的条件。因此，对于在存在腐蚀性环境的处理室中使用的组件，抗等离子体性是需要的性质。因此，需要保护组件免受这种腐蚀性环境的影响，以延长所用组件或腔室的寿命。为了减少暴露于腐蚀性环境的表面的腐蚀或变性，已在要保护的表面上形成厚涂层或膜，例如氧化铝的厚涂层或膜。这样的涂层或膜的目的是用于减少要保护的表面向各种等离子体的暴露，例如NF₃、CF₄、CHF₃、CH₂F₂、C₂F₆、SF₆、Cl₂和HBr。然而，尽管这些涂层或膜表现出改进的抗等离子体性能，它们通常由于例如所使用的制造方法而具有多孔结构。因此，随着时间的推移，多孔结构允许腐蚀性环境的不利影响穿透涂层至待保护的表面和/或形成污染周围环境的固体颗粒。并且，厚膜可能容易破裂，从而容易损失其保护效果。

因此，仍然需要一种能够制造耐久的抗等离子体蚀刻膜的方法，所述膜具有适于保护例如等离子体腔室或其组件的表面免受不利加工条件的性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于在基底表面上制造抗等离子体蚀刻膜的新型方法。进一步地，本发明的目的是提供一种新型抗等离子体蚀刻膜和提供一种抗等离子体蚀刻膜的新用途。

根据本发明的方法的特征在于权利要求1中所呈现的那些。

根据本发明的抗等离子体蚀刻膜的特征在于权利要求14和15中所呈现的那些。

根据本发明的用途的特征在于权利要求19中所呈现的那些。

附图说明

被包括以提供对本发明的进一步理解并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施方案，并与说明书一起有助于解释本发明的原理。在附图中：

图1是示出根据本发明一个实施方案的方法的流程图示；

图2是根据本发明一个实施方案的在基底上的抗等离子体蚀刻膜的示意性图示；和

图3是根据本发明一个实施方案的抗等离子体蚀刻膜的横截面场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)图像。

具体实施方式

本发明涉及一种用于在基底表面上制造抗等离子体蚀刻膜的方法，其中所述方法包括形成膜的步骤，所述膜包含在稀土金属氧化物第一层上的稀土金属氧化物、稀土金属碳酸盐或稀土金属氧碳酸盐或其任何混合物的中间层，其中稀土金属在第一层和中间层中是相同的，并且其中形成膜的步骤在反应空间中包括如下步骤：

通过将沉积表面暴露于至少两种前体的交替重复的表面反应来沉积第一层，所述至少两种前体包括稀土金属前体和氧的第一前体，使得第一层的结构是结晶的，和

通过将沉积表面暴露于至少两种前体的交替重复的表面反应来沉积中间层，所述至少两种前体包括稀土金属前体和氧的第二前体，使得中间层的结构是非结晶的。

本发明进一步涉及通过根据本发明的方法可获得的在基底表面上的抗等离子体蚀刻膜。