[发明专利]用于第一读取对策的动态调谐的设备和方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

包括存储单元的块，所述存储单元被布置成串并且连接到一组字线，所述存储单元被编程到不同的已编程数据状态，包括最低已编程数据状态和最高已编程数据状态；和

控制电路，所述控制电路被配置为对所述块中的第一读取情况执行对策，其中所述对策是温度的函数，并且为了执行所述对策，所述控制电路被配置为根据正温度系数设置所述最低已编程数据状态的读取电压，并且根据负温度系数设置所述最高已编程数据状态的读取电压。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述控制电路被配置为在所述温度相对较低时将所述对策设置为相对更严重。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

如果自上次通电事件以来在所述块中未发生感测操作，则所述块处于所述第一读取情况。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

如果自所述块中的上次感测操作以来的时间段超过阈值，则所述块处于所述第一读取情况。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述字线连接到电压驱动器；并且

如果所述字线的耦合上升电位由所述电压驱动器提供的电压释放，则所述块处于所述第一读取情况。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的存储器设备，其中：

所述存储单元被编程到不同的已编程数据状态；并且

为了执行所述对策，所述控制电路被配置为根据不同的正温度系数设置较低已编程数据状态的读取电压，其中针对最低已编程数据状态使用最大量值的正温度系数，并且根据不同的负温度系数设置较高已编程数据状态的读取电压，其中针对最高已编程数据状态使用最大量值的负温度系数。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的存储器设备，其中：

所述存储单元被编程到不同的已编程数据状态，包括最低已编程数据状态和最高已编程数据状态；并且

为了执行所述对策，所述控制电路被配置为：

使用读取电压对所述存储单元执行读取操作，所述读取电压包括用于所述最低已编程数据状态的初始读取电压以及用于所述最高已编程数据状态的初始读取电压，并且

如果所述读取操作中的错误次数超过错误阈值，则使用所述最低已编程数据状态的调节的读取电压和所述最高已编程数据状态的调节的读取电压对所述存储单元执行另一个读取操作，其中所述最低已编程数据状态的所述调节的读取电压小于基于正温度系数的所述最低已编程数据状态的所述初始读取电压，并且所述最高已编程数据状态的所述调节的读取电压大于基于负温度系数的所述最高已编程数据状态的所述初始读取电压。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的存储器设备，其中：

为了执行所述对策，所述控制电路被配置为响应于涉及所述块的选定字线的读取命令，将虚设电压施加到每个字线，随后使每个字线的电压浮动，根据负温度系数等待某个时间段，并且执行涉及所述选定字线的读取操作；并且

在所述虚设电压期间未感测到所述存储单元。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的存储器设备，其中：

所述字线连接到电压驱动器；并且

为了执行所述对策，所述控制电路被配置为根据负温度系数设置所述字线上的电压。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的存储器设备，其中：

所述存储单元被编程到不同的已编程数据状态，包括最低已编程数据状态和最高已编程数据状态；并且

为了执行所述对策，所述控制电路被配置为当对选定字线施加所述最低已编程数据状态的读取电压时，根据负温度系数设置未选定字线的导通电压；并且当对选定字线施加所述最高已编程数据状态的读取电压时，根据正温度系数设置所述未选定字线的所述导通电压。