[发明专利]胶体二氧化硅生长抑制剂以及相关的方法和系统

权利要求书

1.一种用于微电子基底上的结构的湿法蚀刻的方法，包括：

将所述微电子基底装载至湿法化学处理系统中，所述微电子基底具有氮化硅的第一结构和氧化硅的第二结构，所述第一结构和所述第二结构各自具有暴露表面；

将湿法蚀刻溶液分配到所述微电子基底上，其中所述湿法蚀刻溶液包含：

水，

磷酸，和

胶体二氧化硅生长抑制剂；

相对于所述微电子基底上的所述第二结构选择性地蚀刻所述微电子基底上的所述第一结构，而不在所述微电子基底上的所述第一结构或所述第二结构的所述暴露表面上产生胶体二氧化硅沉积物的生长，以及

在所述蚀刻的过程中监测二氧化硅的浓度和所述胶体二氧化硅生长抑制剂的浓度，并随着所述胶体二氧化硅的浓度的增加而增加所述胶体二氧化硅生长抑制剂的浓度，

其中所述胶体二氧化硅生长抑制剂包含至少一个-COOH基团或至少一个-PO₃H₂基团，或包含两者。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述湿法蚀刻溶液还包含：硫酸。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述胶体二氧化硅生长抑制剂是多羧酸盐/酯。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述胶体二氧化硅生长抑制剂包括选自以下的至少一种化合物：柠檬酸、乙酸、草酸、苹果酸、2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸、二亚乙基三胺五乙酸、乙二胺四羧酸、1,2,3,4-丁烷四羧酸和/或氨基酸。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述氨基酸选自L-组氨酸和L-苯丙氨酸。

6.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述蚀刻的过程中监测蚀刻选择性，并调节所述湿法蚀刻溶液以保持所述蚀刻选择性。

7.根据权利要求6所述的方法，其中调节所述湿法蚀刻溶液包括调节所述胶体二氧化硅生长抑制剂的浓度，所述胶体二氧化硅生长抑制剂的流量，所述胶体二氧化硅生长抑制剂的温度，所述水的浓度，所述水的流量，所述水的温度，所述磷酸的浓度，所述磷酸的流量，所述磷酸的温度，硫酸的浓度，所述硫酸的流量，所述硫酸的温度，所述磷酸与所述胶体二氧化硅生长抑制剂的流量比以及添加到所述湿法蚀刻溶液中的二氧化硅的浓度。