[发明专利]用于电阻式存储器的非对称写入驱动器在审
| 申请号： | 201780027044.5 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN109074843A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘慧楚;D·H·莫里斯;S·马尼帕储尼;K·瓦德亚纳坦;I·A·杨;T·卡尔尼克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉;张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耦合 选择线 电阻式存储器 选择晶体管 电流镜 写入驱动器 栅极端子 非对称 可操作 解耦 字线 | ||
1.一种装置，包括：
选择线；
选择晶体管，耦合至电阻式存储器元件并且耦合至所述选择线；
字线，耦合至所述选择晶体管的栅极端子；以及
电流镜，能操作以在第一模式期间耦合至所述选择线，并且在第二模式期间被解耦。
2.如权利要求1所述的装置，包括第一访问器件，所述第一访问器件耦合至所述选择线和所述电流镜，其中，所述第一访问器件能由列选择信号控制。
3.如权利要求2所述的装置，包括：
位线，耦合至所述电阻式存储器元件；以及
第二访问器件，耦合至所述位线，其中，所述第二访问器件能由所述列选择信号控制。
4.如权利要求2所述的装置，包括第一晶体管，所述第一晶体管耦合至所述第一访问器件和供给节点，其中，所述第一晶体管能由写入低使能信号控制。
5.如权利要求4所述的装置，包括第二晶体管，所述第二晶体管耦合至所述第一访问器件和所述第一晶体管，其中，所述第二晶体管能由写入高使能信号控制。
6.如权利要求3所述的装置，包括第三晶体管，所述第三晶体管耦合至所述第二访问器件和供给节点，其中，所述第三晶体管能由写入低使能信号控制。
7.如权利要求6所述的装置，包括第四晶体管，所述第四晶体管耦合至所述第二访问器件和所述第三晶体管，其中，所述第四晶体管能由写入低使能信号控制。
8.如权利要求2所述的装置，包括列解码器，所述列解码器用于生成所述列选择信号。
9.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一模式是置位模式，而所述第二模式是复位模式。
10.如权利要求1所述的装置，包括感测放大器，所述感测放大器耦合至位线和源线。
11.如权利要求1所述的装置，其中，所述电阻式存储器元件包括以下各项中的至少一者：
磁隧穿结(MTJ)器件；
相变存储器(PCM)单元；或
电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元。
12.一种装置，包括：
选择线；
选择晶体管，耦合至电阻式存储器元件并且耦合至所述选择线；
字线，耦合至所述选择晶体管的栅极端子；
电流镜；
第一访问器件，耦合至所述选择线和所述电流镜，其中，所述第一访问器件能由列选择信号控制；
位线，耦合至所述电阻式存储器元件；以及
第二访问器件，耦合至所述位线，其中，所述第二访问器件能由所述列选择信号控制。
13.如权利要求12所述的装置，其中，所述电流镜能操作以在第一模式期间耦合至所述选择线，并且在第二模式期间被解耦。
14.如权利要求12所述的装置，包括第二晶体管，所述第二晶体管耦合至所述第一访问器件和所述第一晶体管，其中，所述第二晶体管能由写入高使能信号控制。
15.如权利要求14所述的装置，包括第三晶体管，所述第三晶体管耦合至所述第二访问器件和供给节点，其中，所述第三晶体管能由写入低使能信号控制。
16.如权利要求15所述的装置，包括第四晶体管，所述第四晶体管耦合至所述第二访问器件和所述第三晶体管，其中，所述第四晶体管能由写入低使能信号控制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780027044.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
