[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的第一半导体层，其具有第一主面和第二主面；

第二导电型的第二半导体层，其设置于所述第一半导体层的所述第一主面；

第三半导体层，其设置于所述第一半导体层的所述第二主面；

多个第一导电型的第一半导体区，设置在所述第一半导体层的内部的不同深度，且杂质浓度比所述第一半导体层的杂质浓度高；

第一导电型的第二半导体区，其与最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区接触而构成所述第三半导体层的一部分，且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高；

第二导电型的第三半导体区，其与最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区接触而构成所述第三半导体层的一部分，且在与所述第二主面平行的方向上与所述第二半导体区接触；

第一电极，其与所述第二半导体层接触；以及

第二电极，其与所述第二半导体区和所述第三半导体区接触，

所述第一半导体区的杂质浓度的第一最大值比所述第二半导体区的杂质浓度的第二最大值和所述第三半导体区的杂质浓度的第三最大值低，且所述第一半导体区具有以所述第一最大值为峰，从该峰朝向所述第二半导体层侧和所述第三半导体层侧减小的杂质浓度分布，

所述第三半导体区的与所述第一半导体区的界面处的杂质浓度比所述第二半导体区的与所述第一半导体区的界面处的杂质浓度低，

多个所述第一半导体区中的最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区的比所述峰更靠近所述第三半导体层侧的部分中，成为所述第一最大值的0.5倍以下的杂质浓度的部分从所述第三半导体区与该第一半导体区的界面到达预定的深度，

从所述预定的深度到所述第三半导体区与该第一半导体区的界面为止的距离比所述第三半导体区的厚度长。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第三半导体区的杂质浓度的所述第三最大值比所述第二半导体区的杂质浓度的所述第二最大值低。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第三半导体区的杂质浓度的所述第三最大值比多个所述第一半导体区中的最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区的杂质浓度的所述峰高。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第三半导体区的杂质浓度的所述第三最大值比多个所述第一半导体区中的最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区的杂质浓度的所述峰高。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第三半导体区的杂质浓度的所述第三最大值比在所述第二半导体区与多个所述第一半导体区中的最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区的界面处的所述第二半导体区的杂质浓度的最低值高。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，从所述预定的深度到所述第三半导体区与该第一半导体区的界面为止的距离为所述第三半导体区的厚度的2倍以上。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，从所述预定的深度到所述第三半导体区与该第一半导体区的界面为止的距离为所述第三半导体区的厚度以上且为10μm以下。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第三半导体区的厚度比所述第二半导体区的厚度薄。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述第三半导体层与最靠所述第三半导体层侧的所述第一半导体区的所述峰之间导入有晶体缺陷。