[发明专利]倍半硅氧烷树脂和甲硅烷基酐组合物在审
| 申请号： | 201780027183.8 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN109153690A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | D·奥尔特戈特;傅鹏飞;张元凡 | 申请（专利权）人： | 美国陶氏有机硅公司 |
| 主分类号： | C07F7/18 | 分类号： | C07F7/18;C07F7/21;C08K5/04;C08L83/06 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 徐舒 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倍半硅氧烷组合物 光致抗蚀剂组合物 倍半硅氧烷树脂 甲硅烷基 制备 半导体装置 光酸产生剂 组合物制备 制造制品 | ||
1.一种含倍半硅氧烷组合物，其包含(A)倍半硅氧烷树脂和(B)甲硅烷基酐，其中：
所述(A)倍半硅氧烷树脂具有式(I)：[HSiO3/2]t1[Z-L-SiO3/2]t2[H(R1O)SiO2/2]d[(R1O)xSiO(4-x)/2]y[R2SiO3/2]t3(I)，其中：
下标t1为0.4至0.9的摩尔份数；
下标t2为0.1至0.6的摩尔份数；
下标d为0至0.45的摩尔份数；
下标x为1、2或3的整数；
下标y为0至0.25的摩尔份数；
下标t3为0至0.15的摩尔份数；
t1+t2的总和为≥0.9至≤1，并且t1+t2+d+y+t3的总和＝1；
每个R1独立地为H或(C1-C6)烷基；
每个R2独立地为HO-L-或HOOC-L-；
每个L独立地为二价(C1-C20)烃基团，其为未取代的或被至少1个取代基取代，所述取代基独立地选自：(C1-C3)烷基、-OH和氟原子，其至多全氟取代并包括全氟取代；并且
每个Z为-OH、-COOH、-O-THP、-OCH(R3a)2、-OC(R3b)3、-COOCH(R3a)2、-COOC(R3b)3、-OCOOCH(R3a)2、或-OCOOC(R3b)3，
其中THP为四氢吡喃-2-基；
其中每个R3a独立地为(C1-C6)烷基、(C3-C12)环烷基、(C6-C10)芳烷基、((C1-C6)烷基)3SiCH2CH2-，或者2个R3a连同它们两者所键合的碳原子一起为(C3-C12)环烷基或(C6-C12)二环烷基；并且
其中每个R3b独立地为(C1-C6)烷基、(C3-C12)环烷基、(C6-C10)芳烷基、((C1-C6)烷基)3SiCH2CH2-；或者2个R3b连同它们两者所键合的碳原子一起为(C3-C12)环烷基或(C6-C12)二环烷基，并且剩余的R3b独立地为(C1-C6)烷基、(C3-C12)环烷基、(C6-C10)芳烷基或((C1-C6)烷基)3SiCH2CH2-；或全部3个R3b连同它们全部所键合的碳原子一起为(C7-C12)二环烷基；并且
所述(B)甲硅烷基酐具有式(II)：(R4O)3Si-(L1)m-C(R5)2-C(＝O)-O-C(＝O)-R6(II)，其中：
每个R5独立地为H、(C1-C6)烷基、或式-(L2)n-Si(OR4)3的单价基团；或者两个R5合在一起以形成(C2-C5)烷烃-二基；或者一个R5与R6合在一起以形成键或(C1-C4)烷烃-二基，并且剩余的R5独立地为H、(C1-C6)烷基、或式-(L2)n-Si(OR4)3的单价基团；或者两个R5与R6合在一起以形成＝CH-；
R6与如上所述的R5合在一起或R6为(C1-C8)烃基或式-C(R7)2-(L2)n-Si(OR4)3的单价基团；
下标m为0或1的整数；
每个下标n独立地为0或1的整数；
每个R4独立地为未取代的(C1-C6)烷基；
每个L1和L2独立地为(C1-C8)烃-二基；并且
每个R7独立地为H或(C1-C6)烷基；或者两个R7合在一起以形成(C2-C5)烷烃-二基。
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