[发明专利]电子束等离子体工艺形成的类金刚石碳层

权利要求书

1.一种形成类金刚石碳层的方法，包含下列步骤：

在设置于处理腔室中的基板的表面上方产生电子束等离子体；和

在设置于所述处理腔室中的所述基板的所述表面上形成类金刚石碳层。

2.如权利要求1所述的方法，其中产生所述电子束等离子体的步骤进一步包含下列步骤：

施加第一RF源功率至电极，所述电极设置于所述处理腔室中；和

轰击所述电极，以将次级电子及次级电子束流提供至所述基板的所述表面。

3.如权利要求1所述的方法，其中提供所述电子束等离子体的步骤进一步包含下列步骤：

在产生所述电子束等离子体的同时供应气体混合物至所述处理腔室，其中所述气体混合物包括碳氢化合物。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述碳氢化合物选自由CH₄、C₃H₆、C₂H₂及C₂H₄所组成的群组。

5.如权利要求2所述的方法，轰击所述电极以提供次级电子及次级电子束流的步骤进一步包含下列步骤：

将具有小于1eV的低电子能量的次级电子提供至所述基板的所述表面。

6.如权利要求5所述的方法，其中提供低电子能量的步骤进一步包含下列步骤：

将基板温度维持在低于100摄氏度。

7.如权利要求2所述的方法，其中所述次级电子束流承载大于100eV的电子束能量。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述类金刚石碳层具有大于2.5g/cc的膜密度，且所述类金刚石碳层具有小于800百万-帕斯卡(MPa)压应力(compressive)的膜应力。

9.如权利要求2所述的方法，其中施加所述第一RF源功率的步骤进一步包含下列步骤：

施加第二RF功率至天线线圈，所述天线线圈设置成邻近所述处理腔室。

10.如权利要求2所述的方法，其中施加所述第一RF源功率的步骤进一步包含下列步骤：

施加远程等离子体源至所述处理腔室。

11.如权利要求2所述的方法，其中所述电极由碳材料制造。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤：

于所述类金刚石碳层上进行后电子束处理工艺。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述后电子束处理工艺包括惰性气体处理工艺。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述类金刚石碳层作为蚀刻工艺中的硬模层。

15.一种硬模层，包含类金刚石碳层，所述类金刚石碳层是由电子束等离子体工艺所形成，其中所述类金刚石碳层在用于半导体应用时充当蚀刻工艺中的硬模层。