[发明专利]半导体装置或包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201780027953.9 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN109075209B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;黑崎大辅;中泽安孝;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;G02F1/1368;H01L21/336;H01L21/363;H01L21/477;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 显示装置 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及
在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序，
其中，所述沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低，
所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都具有结晶性，
并且，所述第二氧化物半导体膜的所述结晶性比所述第一氧化物半导体膜的所述结晶性高。
2.一种半导体装置的制造方法，包括：
在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及
在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序，
其中，所述沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低，
所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都在不因意图性的加热而变高的温度下形成且所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都具有结晶性，
并且，所述第二氧化物半导体膜的所述结晶性比所述第一氧化物半导体膜的所述结晶性高。
3.一种半导体装置的制造方法，包括：
在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及
在所述沉积室中在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序，
其中，所述沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低，
所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都在100℃以上且200℃以下的温度下形成且所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都具有结晶性，
并且，所述第二氧化物半导体膜的所述结晶性比所述第一氧化物半导体膜的所述结晶性高。
4.根据权利要求1、2和3中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都利用溅射法形成。
5.根据权利要求1、2和3中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第二氧化物半导体膜在其氧分压比形成所述第一氧化物半导体膜的气氛的氧分压高的气氛下形成。
6.根据权利要求1、2和3中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第一氧化物半导体膜以0％以上且30％以下的氧流量比形成，
并且所述第二氧化物半导体膜以大于30％且100％以下的氧流量比形成。
7.根据权利要求1、2和3中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第一氧化物半导体膜包括纳米结晶，
并且所述第二氧化物半导体膜包括具有c轴取向性的结晶。
8.根据权利要求1、2和3中任一项所述的半导体装置的制造方法，
其中所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜都使用In-M-Zn氧化物靶材形成，
并且所述M为Ga、Al、Y或Sn。
9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，
其中所述In、所述M及所述Zn的原子比为In:M:Zn＝4:2:4.1。
10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，
其中所述In、所述M及所述Zn的原子比为In:M:Zn＝5:1:7。
11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，
其中所述In、所述M及所述Zn的原子比为In:M:Zn＝1:1:1.2。
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