[发明专利]电池反向电压防止系统和方法

权利要求书

1.一种电池反向电压防止系统，所述系统包括：

第一MOSFET，所述MOSFET连接电池和负载，并且阻止从所述电池施加的反向电压；

电阻器单元，所述电阻器单元的一侧与所述第一MOSFET的栅极端子相连接，并且另一侧与接地端子相连接；以及

第二MOSFET，所述第二MOSFET与所述电阻器单元并联连接，

其中当恒定电压被施加到所述第二MOSFET时，所述第二MOSFET变为导通状态，并且流向所述电阻器单元的所述电池的电流被减小以减少所述第一MOSFET的开/关延迟时间，

其中所述第一MOSFET和所述第二MOSFET是P型沟道MOSFET，

其中所述第二MOSFET的源极端子与所述第一MOSFET的栅极端子相连接，所述第二MOSFET的漏极端子与所述接地端子相连接，并且所述第二MOSFET的栅极端子与所述电池相连接。

2.根据权利要求1所述的系统，其中当所述电池的电压被施加到所述第一MOSFET时，所述电阻器单元防止所述第一MOSFET由于在所述第一MOSFET的栅极端子和所述第一MOSFET的源极端子之间产生的电容而发生故障，并且

基于下面的等式1计算所产生的电容的值：

＜等式1＞

C＝Q_gs/V_gs

其中，C表示电容值，Qgs表示所述第一MOSFET的栅极-源极电量，并且Vgs表示所述第一MOSFET的栅极-源极电压。

3.根据权利要求2所述的系统，其中基于下面的等式2计算所述第一MOSFET的开/关延迟时间：

＜等式2＞

τ＝R×C

其中，τ表示所述第一MOSFET的开/关延迟时间，R表示所述电阻器单元的电阻值，并且C表示所述电容值。

4.根据权利要求1所述的系统，进一步包括：

第一电压校正单元，所述第一电压校正单元连接所述第一MOSFET的栅极端子和源极端子；和

第二电压校正单元，所述第二电压校正单元连接所述第二MOSFET的栅极端子和源极端子，

其中所述第一电压校正单元和所述第二电压校正单元分别校正所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的栅极-源极电压，以防止所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的失灵和故障。

5.根据权利要求4所述的系统，其中所述第一电压校正单元和所述第二电压校正单元包括一个或多个稳压二极管。

6.一种电池反向电压防止方法，所述方法包括：

通过第一MOSFET连接电池和负载并且阻止从所述电池施加的反向电压；

将电阻器单元的一侧与所述第一MOSFET的栅极端子相连接并且将另一侧与接地端子相连接；

将第二MOSFET与所述电阻器单元并联连接；以及

通过减小在当恒定电压被施加到所述第二MOSFET时所述第二MOSFET变为导通状态的情况下流向所述电阻器单元的所述电池的电流来减少所述第一MOSFET的开/关延迟时间，

其中所述第一MOSFET和所述第二MOSFET是P型沟道MOSFET，

其中所述并联连接包括

将所述第二MOSFET的源极端子与所述第一MOSFET的栅极端子相连接，

将所述第二MOSFET的漏极端子与所述接地端子相连接；以及

将所述第二MOSFET的栅极端子与所述电池相连接。

7.根据权利要求6所述的方法，其中与所述接地端子相连接包括当所述电池的电压被施加到所述第一MOSFET时，由于在所述第一MOSFET的栅极端子和所述第一MOSFET的源极端子之间产生的电容，由所述第一MOSFET引起故障，

并且基于下面的等式1计算所述产生的电容的值：

＜等式1＞

C＝Q_gs/V_gs

其中，C表示电容值，Qgs表示所述第一MOSFET的栅极-源极电量，并且Vgs表示第一MOSFET的栅极-源极电压。