[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体元件；以及

绝缘基板，在表面上形成有基板电极，该基板电极具有经由具有由底面和侧面构成的容器形状的烧结性金属接合材料被接合在所述半导体元件的底面和侧面的接合部，

所述基板电极在所述接合部中的经由所述烧结性金属接合材料与所述半导体元件的侧面接合的面的外周部分形成有凸部，并且所述凸部具有与该基板电极的平坦部正交地形成的一个面和与该一个面相连且与该一个面形成锥体的另一个面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部的厚度方向的截面形状是三角锥状。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸部形成于所述接合部中的所述外周部分的上端侧。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件包括作为碳化硅、氮化镓系材料或金刚石中的任意材料的宽带隙半导体材料。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件包括作为碳化硅、氮化镓系材料或金刚石中的任意材料的宽带隙半导体材料。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件具有与一定的厚度部分相连的形成圆弧形状或三角形形状的截面的侧面部分。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件具有与一定的厚度部分相连的形成圆弧形状或三角形形状的截面的侧面部分。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件具有与一定的厚度部分相连的形成圆弧形状或三角形形状的截面的侧面部分。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件具有与一定的厚度部分相连的形成圆弧形状或三角形形状的截面的侧面部分。

10.一种半导体装置的制造方法，通过利用烧结性金属接合材料将半导体元件与绝缘基板进行接合，来将所述半导体元件安装于所述绝缘基板，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

在设置于所述绝缘基板上的基板电极设置所述烧结性金属接合材料的工序；

在所述基板电极上安装不会通过所述烧结性金属接合材料被接合的由以Ni为主原料的材料形成的卡具的工序，其中，所述卡具在与所述烧结性金属接合材料的外周部分相接的部分具有凸部，所述凸部以使所述卡具的厚度方向截面形状从上侧表面朝向下侧方向而长度变大的方式从端部表面以45度至小于90度的角度形成；

将所述半导体元件搭载于所述烧结性金属接合材料上且所述卡具的凸部的内侧的工序；以及

在将所述半导体元件与所述绝缘基板进行接合时，在所述半导体元件的表面侧，经由以覆盖所述半导体元件的方式设置的缓冲材料对所述半导体元件进行加压并加热的工序。

11.一种半导体装置的制造方法，通过利用烧结性金属接合材料将半导体元件与绝缘基板进行接合，来将所述半导体元件安装于所述绝缘基板，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

在设置于所述绝缘基板上的具有凹部的基板电极涂敷所述烧结性金属接合材料的工序；

在所述基板电极的凹部的外周端面的上端安装不会通过所述烧结性金属接合材料被接合的由以Ni为主原料的材料形成的卡具的工序，其中，所述卡具的与该凹部外接的部分以使所述卡具的厚度方向截面形状从上侧表面朝向下侧方向而长度变大的方式从端部表面以45度至小于90度的角度形成；以及

为了从所述半导体元件侧将所述半导体元件与所述绝缘基板进行接合，经由以覆盖所述半导体元件的方式设置的缓冲材料对所述半导体元件进行加压并加热的工序。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述基板电极的凹部填充所述烧结性金属接合材料之后，通过加压处理和加热处理将所述半导体元件接合于所述绝缘基板，由此利用所述烧结性金属接合材料来接合所述半导体元件的底面和侧面。