[发明专利]用于高功率密度应用的锰掺杂磷光体材料在审

专利信息
申请号: 201780028488.0 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN109072075A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: J·E·墨菲;S·J·卡玛德洛 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: C09K11/61 分类号: C09K11/61
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 杨学春;侯颖媖
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 半导体光源 照明装置 高功率 磷光体材料 单片形式 密度应用 电荷 磷光体 锰掺杂 单晶 蓝光 离子 陶瓷 辐射 申请
【权利要求书】:

1.一种照明装置,其包括:

半导体光源,其能够产生高功率密度的蓝光,所述半导体光源辐射联接到选自单晶和陶瓷的单片形式的式I的磷光体,

Ax(M,Mn)Fy

(I)

其中A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合,M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合,x是[MFy]离子的电荷的绝对值;并且y是5、6或7。

2.根据权利要求1所述的照明装置,其中,

A是Na、K、Rb、Cs或其组合;

M是Si、Ge、Ti或其组合;并且Y是6。

3.根据权利要求1所述的照明装置,其中A是K且M是Si。

4.根据权利要求1所述的照明装置,其中所述以单片形式的式I的磷光体设置在磷光体轮上。

5.根据权利要求1所述的照明装置,其包括汽车前照灯。

6.一种背光装置,其包括:

半导体光源,其能够产生高功率密度的蓝光,所述半导体光源辐射联接到选自单晶和陶瓷的单片形式的式I的磷光体,

Ax(M,Mn)Fy

(I)

其中A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合,M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合,x是[MFy]离子的电荷的绝对值;并且y是5、6或7。

7.根据权利要求6所述的背光装置,其包括电视。

8.一种照明装置,其包括:

半导体光源,其能够产生高功率密度的蓝光,所述半导体光源辐射联接到包括以复合材料形式的式I的磷光体的磷光体轮;

Ax(M,Mn)Fy

(I)

其中A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合,M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合,x是[MFy]离子的电荷的绝对值;并且y是5、6或7。

9.根据权利要求8所述的照明装置,其中,

A是Na、K、Rb、Cs或其组合;

M是Si、Ge、Ti或其组合;并且Y是6。

10.根据权利要求8所述的照明装置,其中A是K且M是Si。

11.根据权利要求8所述的照明装置,其中所述以复合材料形式的式I的磷光体是玻璃-磷光体复合材料。

12.根据权利要求8所述的照明装置,其中所述以复合材料形式的式I的磷光体是聚合物-磷光体复合材料。

13.一种背光装置,其包括:

半导体光源,其能够产生高功率密度的蓝光,所述半导体光源辐射联接到包括以复合材料形式的式I的磷光体的磷光体轮;

Ax(M,Mn)Fy

(I)

其中A是Li、Na、K、Rb、Cs或其组合,M是Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、Sc、Hf、Y、La、Nb、Ta、Bi、Gd或其组合,x是[MFy]离子的电荷的绝对值;并且y是5、6或7。

14.根据权利要求13所述的背光装置,其包括汽车前照灯。

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