[发明专利]氮化物类发光元件

说明书

一种氮化物类发光元件，在GaN衬底(11)上依次具备第一导电侧第一半导体层(12)、活性层(15)、第二导电侧第一半导体层(19)，在活性层(15)与第二导电侧第一半导体层(19)之间具备包括氮化物类半导体的第二导电型的电子阻挡层(18)，该氮化物类半导体至少含有Al，电子阻挡层(18)具有Al成分变化的第1区域(18a)，在第1区域(18a)，针对从活性层(15)向第二导电侧第一半导体层(19)的方向，Al成分单调增加，第二导电侧第一半导体层(19)中的离电子阻挡层(18)近的一侧的区域(19a)的杂质浓度，与离电子阻挡层(18)远的一侧的区域(19b)的杂质浓度相比，相对较低。

技术领域

本发明涉及氮化物类发光元件。

背景技术

现在，作为机动车的前灯的光源，广泛使用的有卤素灯、HID(高亮度放电)灯、LED(发光二极管)灯。在现状中，关于前灯采用HID是主流，不过也被用于雾灯或车辆的装饰光源。

并且，最近作为比LED的发光强度高的发光元件，利用LD(激光二极管) 而提高了发光强度的激光前灯用光源受到关注。作为用于前灯的光源的发光元件，希望一种具有超高输出的蓝色半导体激光，例如在波长为450nm 范围，即使在85℃的高温中进行瓦特级的高输出工作，也能够持续几千个小时以上的长期间工作。

为了实现这样的发光元件，需要尽可能地抑制激光振荡工作中的发光元件的自身发热。并且，在发光元件中，需要实现低工作电流且低电压工作这种超低消耗功率工作。

为了实现低工作电流，在发光元件中抑制漏电流的发生是非常重要的，这种漏电流的发生是指，被注入到成为发光层的活性层的电子受到热的激励，而从活性层泄漏到P型覆盖层。在专利文献1、2所记载的技术中，为了抑制漏电流的发生，在P型覆盖层与活性层之间，使用比覆盖层的带隙能量大的电子阻挡层(例如，参照专利文献1、2)。

(现有技术文献)

(专利文献)

专利文献1 日本 特开2002-270971号公报

专利文献2 日本 特开2014-3329号公报

为了尽可能地降低在发光元件的消耗功率，不仅是需要抑制漏电流的发生，并且波导路损失的减少、漏电流的抑制、以及工作电压降低也需要同时进行。

发明内容

于是，本发明的目的在于提供一种能够同时进行波导路损失的降低、漏电流的抑制、以及工作电压的降低的发光元件。

本发明的一个形态所涉及的氮化物类发光元件，在GaN衬底上依次具备第一导电侧第一半导体层、活性层、第二导电侧第一半导体层，所述第一导电侧第一半导体层包括第一导电型的氮化物类半导体，所述活性层包括含有Ga或In的氮化物类半导体，所述第二导电侧第一半导体层包括第二导电型的氮化物类半导体，在所述活性层与所述第二导电侧第一半导体层之间具备第二导电型的电子阻挡层，所述第二导电型的电子阻挡层包括至少含有Al的氮化物类半导体，所述电子阻挡层具有Al成分变化的第1 区域，在所述第1区域，针对从所述活性层向所述第二导电侧第一半导体层的方向，Al成分单调增加，所述第二导电侧第一半导体层中的离所述电子阻挡层近的一侧的区域的杂质浓度，与离所述电子阻挡层远的一侧的区域的杂质浓度相比，相对较低。

通过本发明，能够提供一种使波导路损失的降低、漏电流的抑制、以及工作电压的降低同时进行的发光元件。

附图说明

图1A是示出本发明的实施方式1所涉及的发光元件的截面结构的截面图。

图1B示出了本发明的实施方式1所涉及的发光元件的多量子阱活性层的生长方向的带隙能量分布。