[发明专利]间接带隙发光器件在审
| 申请号： | 201780028588.3 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN110140209A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 彼得鲁斯·约翰内斯·文特尔;马里乌斯·欧热内·古森;克里斯托·让森·万·伦斯堡;尼克拉斯·马托伊斯·富尔 | 申请（专利权）人： | 因西亚瓦(控股)有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L33/18;H01L33/26;H05B37/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;张维克 |
| 地址： | 南非比*** | 国省代码： | 南非;ZA |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光器件 间接带隙半导体材料 掺杂类型 间接带隙 第一区 掺杂 彼此分开 反向偏置 沉积层 电绝缘 非单晶 成对 单晶 基板 排布 集成电路 半导体 发光 | ||
1.一种间接带隙发光器件，包括：
非单晶间接带隙半导体材料的第一体；
具有第一掺杂类型和第一掺杂浓度的所述第一体的第一区；
具有第二掺杂类型和第二掺杂浓度的所述第一体的第二区；
在所述第一区与所述第二区之间形成的至少一个结；
端子排布，连接至所述第一体且被布置成反向偏置所述结以发光；以及
基板，由此所述第一体整体地形成为所述基板的一部分，并且由此，从半导体的沉积层形成所述第一体以形成所述基板的组成部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述基板是多材料基板。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述基板是单材料基板。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一体的晶体结构具有从非晶跨越多晶直到但不包括单晶的连续体内的特性。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一体的所述晶体结构是多晶或非晶的。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，作为用于制造集成电路的制造工艺的一部分，所述第一体被沉积在所述基板上。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述非单晶间接带隙半导体材料是硅材料。
8.一种集成电路，所述集成电路包括：
根据权利要求1所述的发光器件；以及
单晶间接带隙半导体材料的第二体。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，通过第三体将所述第一体与所述第二体分开。
10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述第三体被配置成将所述第一体和所述第二体彼此电隔离。
11.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述第一体是多晶硅层。
12.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述第二体和所述第三体形成所述基板的一部分。
13.根据权利要求9所述的集成电路，其中，存在由所述非单晶材料形成的横向分布在所述单晶第二体上方的所述第一体的多个实例。
14.根据权利要求9所述的集成电路，其中，存在垂直分布且形成所述第一体的多个实例的所述非单晶材料的多个层。
15.根据权利要求14所述的集成电路，其中，所述多个层在所述集成电路的制造期间沉积，通过所述第三体将所述多个层中的每个层分开，其中所述第三体是不导电绝缘层。
16.根据权利要求15所述的集成电路，其中，所述多个层中至少一层被用于创建被动电路元件。
17.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述第三体包括多个层，所述多个层包括但不限于一组金属间隔离层、金属层或其他半导体材料。
18.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述第三体包括具有所述第一体与所述第二体之间的不导电区域或绝缘区域的至少一个层。
19.根据权利要求18所述的集成电路，其中，所述第三体包括热生长SiO2层、沉积SiO2层、Si3N4层、气体层、真空层或聚合物层中至少之一。
20.根据权利要求9所述的集成电路，其中，在所述第二体中形成有光敏区。
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