[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780028680.X 申请日: 2017-04-27
公开(公告)号: CN109074006B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 小川贵久;福罗满德;高桥信义 申请(专利权)人: 高塔伙伴半导体有限公司
主分类号: G03F9/00 分类号: G03F9/00;G01B11/00;G03F1/42;G03F7/20
代理公司: 北京煦润律师事务所 11522 代理人: 梁永芳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具备:

第一检査标记区域及第二检査标记区域,该第一检査标记区域及该第二检査标记区域具有包含多个重叠检查标记的相同的图案;

第一元件区域,其具有与所述第一检查标记区域重叠的部分;以及

第二元件区域,其具有与所述第二检查标记区域重叠的部分,

所述第一元件区域及所述第二元件区域互相邻接且具有不同的面积,

所述第一元件区域具有第一图案,所述第一图案对准多个第一重叠检査标记,多个所述第一重叠检査标记是多个所述重叠检査标记的一部分,

所述第二元件区域具有第二图案,所述第二图案对准多个第二重叠检査标记,多个所述第二重叠检査标记是多个所述重叠检査标记的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一检查标记区域与所述第二检查标记区域相邻接,

所述第一重叠检査标记都布置于所述第一检查标记区域中,

所述第二重叠检査标记都布置于所述第二检查标记区域中。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一检查标记区域和所述第二检查标记区域的面积之和与所述第一元件区域和所述第二元件区域的面积之和相等。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于:

在所述第一检査标记区域及所述第二检査标记区域的四个角分别设置有至少两个所述重叠检査标记,所述重叠检査标记排列在所述第一检査标记区域与所述第二检査标记区域相邻接的邻接方向上,两个所述重叠检查标记的中心之间的距离约为所述第一元件区域或所述第二元件区域的在所述邻接方向上的尺寸与所述第一检査标记区域的在所述邻接方向上的尺寸之差的二分之一。

5.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,进一步具备:

第三检査标记区域,其具有与所述第一检查标记区域相同的图案,且和所述第二检查标记区域的与所述第一检查标记区域相反的一侧邻接;以及

第三元件区域,其具有与第三检查标记区域重叠的部分,且和所述第二元件区域的与所述第一元件区域相反的一侧邻接,

所述第三元件区域具有第三图案,所述第三图案对准布置于所述第三检査标记区域中的所述重叠检査标记。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一检査标记区域与所述第二检查标记区域之间留出间隔而设,

所述第一重叠检査标记都布置于所述第一检查标记区域中,

所述第二重叠检査标记布置在所述第一检査标记区域及所述第二检査标记区域中。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其特征在于:

在所述第一检査标记区域及所述第二检査标记区域的四个角分别设置有至少两个所述重叠检査标记,所述重叠检査标记排列在所述第一检査标记区域与所述第二检査标记区域所排列的方向上。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置,其特征在于,进一步具备:

第四元件区域,其具有与所述第二检查标记区域重叠的部分,且和所述第二元件区域的与所述第一元件区域相反的一侧邻接,

所述第四元件区域具有第四图案,所述第四图案对准至少布置于所述第二检査标记区域中的所述重叠检査标记。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

所述第一元件区域具备第三重叠检査标记,

所述第二元件区域具备第四重叠检査标记,

所述半导体装置进一步具备:

第五元件区域,其具有对准所述第三重叠检査标记的第五图案,且具有与所述第一元件区域重叠的部分;以及

第六元件区域,其具有对准所述第四重叠检査标记的第六图案,且具有与所述第二元件区域重叠的部分。

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