[发明专利]半导体电路、驱动方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201780028722.X 申请日: 2017-04-20
公开(公告)号: CN109196587B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 神田泰夫;鸟毛裕二 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G11C14/00 分类号: G11C14/00;G11C11/412;G11C11/419;G11C7/20;G11C11/16;G11C13/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 程晨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 电路 驱动 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种半导体电路,包括:

第一电路,其被配置成基于第一节点处的电压生成所述第一节点处的所述电压的第一反相电压,并且将所述第一反相电压施加至第二节点;

第二电路,其被配置成基于所述第二节点处的电压生成所述第二节点处的所述电压的第二反相电压,并且将所述第二反相电压施加至所述第一节点;

第一晶体管,其将所述第一节点或所述第二节点耦合至第三节点;

第二晶体管,其耦合至所述第一节点或所述第二节点、所述第三节点,并且被供应第一控制电压;

第一存储元件,其包括耦合至所述第三节点的第一端和被供应第二控制电压的第二端;以及

驱动器,其中在第一时段,所述驱动器被配置成:

关断所述第一晶体管,

使得所述第一控制电压和所述第二控制电压彼此不同,并且

将所述第一控制电压与所述第二控制电压之间的电压差的极性设置为第一极性,以根据所述第一节点处的所述电压配置所述第一存储元件的电阻状态,

其中所述第一电路包括第三晶体管,所述第三晶体管被接通以将第一电源耦合至所述第二节点,所述第一电源对应于预先确定的初始电压,并且

所述第二电路包括第四晶体管,所述第四晶体管被接通,以将所述第一电源耦合至所述第一节点,所述第四晶体管具有大于所述第三晶体管的栅极宽度的栅极宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体电路,其中所述第一存储元件被配置成从第一电阻状态变化成第二电阻状态。

3.根据权利要求2所述的半导体电路,其中所述第一电阻状态的电阻小于所述第二电阻状态的电阻。

4.根据权利要求2所述的半导体电路,其中所述第一电阻状态的电阻大于所述第二电阻状态的电阻。

5.根据权利要求1所述的半导体电路,其中所述第二晶体管的栅极耦合至所述第一节点或所述第二节点,所述第二晶体管的漏极和源极中的一个耦合至所述第三节点,并且所述第二晶体管的所述漏极和所述源极中的另一个被供应所述第一控制电压。

6.根据权利要求1所述的半导体电路,其中所述驱动器还被配置成提供所述第一控制电压、所述第二控制电压,并且控制所述第一晶体管的操作。

7.根据权利要求1所述的半导体电路,其中在发生在所述第一时段之后的第二时段,所述驱动器被配置成接通所述第一晶体管并且根据所述第一存储元件的所述电阻状态设置所述第一节点处的所述电压。

8.根据权利要求7所述的半导体电路,其中在发生在所述第一时段与所述第二时段之间的第三时段,供应给所述第一电路和所述第二电路的电力被中止。

9.根据权利要求8所述的半导体电路,其中在发生在所述第二时段之后的第四时段,所述驱动器被配置成:

关断所述第一晶体管,

使得所述第一控制电压和所述第二控制电压彼此不同,并且

将所述第一控制电压与所述第二控制电压之间的所述电压差的所述极性设置为不同于所述第一极性的第二极性,以将所述第一存储元件的所述电阻状态配置为第一电阻状态。

10.根据权利要求9所述的半导体电路,其中在所述第二时段中设置所述第一节点处的所述电压之后并且在所述第一节点处的所述电压改变之前,在所述第四时段,所述驱动器被配置成将所述第一存储元件的所述电阻状态配置为所述第一电阻状态。

11.根据权利要求1所述的半导体电路,其中在发生在所述第一时段之前的第五时段,所述驱动器被配置成:

关断所述第一晶体管,

将所述第一节点处的所述电压设置为预先确定的电压,

使得所述第一控制电压和所述第二控制电压彼此不同,并且

将所述第一控制电压与所述第二控制电压之间的所述电压差的所述极性设置为不同于所述第一极性的第二极性,以将所述第一存储元件的所述电阻状态配置为第一电阻状态。

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