[发明专利]针对半导体应用从输入图像产生经模拟图像

说明书

本发明提供用于从输入图像产生经模拟图像的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统及由所述一或多个计算机子系统执行的一或多个组件。所述一或多个组件包含神经网络，其包含经配置以用于确定样本的图像的特征的两个或两个以上编码器层。所述神经网络还包含经配置以用于从所述确定特征产生一或多个经模拟图像的两个或两个以上解码器层。所述神经网络不包含全连接层，借此消除对输入到所述两个或两个以上编码器层的图像大小的约束。

技术领域

本发明大体上涉及用于针对半导体应用从输入图像产生经模拟图像的方法及系统。

背景技术

以下描述及实例不因其包含于本章节中而被承认为现有技术。

制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含：使用大量半导体制造工艺来处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以布置制造于单个半导体晶片上且接着被分离成个别半导体装置。

在半导体制造工艺期间的各种步骤中使用检验过程来检测样本上的缺陷以促进较高制造工艺良率且因此促进较高利润。检验始终为制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对可接受的半导体装置的成功制造变得更重要，这是因为较小缺陷会引起装置失效。

缺陷复检通常涉及：重新检测由检验过程本身检测到的缺陷，且使用高倍放大光学系统或扫描式电子显微镜(SEM)来以较高分辨率产生关于所述缺陷的额外信息。因此，在已通过检验检测到缺陷的离散位置处对样本执行缺陷复检。通过缺陷复检产生的缺陷的较高分辨率数据更适合于确定缺陷的属性，例如轮廓、粗糙度、更精确大小信息等等。

还在半导体制造工艺期间的各种步骤中使用度量过程来监测且控制工艺。度量过程与检验过程的不同点在于：与其中检测样本上的缺陷的检验过程不同，度量过程用于测量使用当前所使用的检验工具无法确定的样本的一或多个特性。举例来说，度量过程用于测量样本的一或多个特性(例如在工艺期间形成于样本上的特征的尺寸(例如线宽、厚度等等))，使得可从所述一或多个特性确定工艺的性能。另外，如果样本的一或多个特性是不可接受的(例如，在特性的预定范围外)，那么样本的一或多个特性的测量可用于变更工艺的一或多个参数，使得由工艺制造的额外样本具有可接受特性。

度量过程与缺陷复检过程的不同点还在于：与其中在缺陷复检中再访通过检验检测到的缺陷的缺陷复检过程不同，度量过程可在未检测到缺陷的位置处执行。换句话说，与缺陷复检不同，对样本执行度量过程的位置可与对样本执行的检验过程的结果无关。特定来说，可独立于检验结果来选择执行度量过程的位置。

随着设计规则收紧，形成于样本(例如光罩及晶片)上的设计即使使用最佳执行工艺来形成，仍会使其看起来大不同于实际设计。举例来说，归因于在物理样本上形成设计中所涉及的物理过程的内在限制，形成于物理样本上的设计的特征通常具有略微不同于设计的特性(例如不同形状(例如，归因于圆角及其它近接效应))且可具有略微不同尺寸(例如，归因于近接效应)，即使已在样本上形成设计的最佳可能版本。

有时，无法知道设计将如何呈现于样本上及由例如检验工具、缺陷复检工具、度量工具及其类似者的工具产生的样本(其上已形成设计信息)的图像中。然而，由于种种原因，通常期望知道设计将如何呈现于样本上及由此类工具产生的图像中。一个原因是需确保设计将以可接受方式形成于样本上。另一原因是对设计提供参考，其说明设计希望如何形成于样本上且可用于对样本所执行的一或多个功能。举例来说，一般来说，缺陷检测需要参考，使得形成于样本上的设计与参考之间的任何差异可被检测到且被识别为缺陷或潜在缺陷。

因此，已做了大量工作来开发可从样本的一个图像模拟所述样本的另一图像的各种方法及系统。然而，当前可用方法存在若干缺点。举例来说，一些当前使用方法对方法可变换的输入图像的大小具有上限。其它当前使用方法可变换大体上较大输入图像，但如此做存在若干缺点。