[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法在审
申请号: | 201780029395.X | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN109155166A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 田口祐介;大本慎也;坂口雅史 | 申请(专利权)人: | 株式会社钟化 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B9/00;H01B13/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 树脂薄膜 电介质层 透明导电性薄膜 铟锡复合氧化物 相反侧 有机物 配置 纤维素系树脂薄膜 无机物 层叠电介质层 聚酯系树脂 三氟乙酸酐 化学修饰 活性氢基 混合物 酰亚胺 薄膜 制作 自由 制造 | ||
本发明涉及一种透明导电性薄膜(10),其在树脂薄膜(1)的一个表面上依次配置有电介质层(2)及铟锡复合氧化物层(3),树脂薄膜(1)为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种,电介质层(2)由有机物或有机物与无机物的混合物构成、并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下,在铟锡复合氧化物层(3)的配置有电介质层(2)的一侧的相反侧的表面,存在2.1原子%以上且4.0原子%以下的、可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。本发明的透明导电性薄膜(10)可以通过在树脂薄膜(1)的一个表面上层叠电介质层(2),在电介质层(2)的配置有树脂薄膜(1)的一侧的相反侧的表面上层叠铟锡复合氧化物层(3)来制作。
技术领域
本发明涉及在树脂薄膜的单面配置有铟锡复合氧化物层的透明导电性薄膜及其制造方法。
背景技术
在透明基材上形成有铟锡复合氧化物层等透明导电性膜的透明导电性薄膜被广泛用于显示器及触摸面板等器件。这些器件中,透明导电性薄膜在要求透明性和导电性这两者的部件中使用。
另一方面,透明导电性膜通常利用引出电极与IC控制器等电连接。近年来,由于显示器及触摸面板等的窄边框化,有引出电极与透明导电性膜的接触面积减少的倾向,强烈要求提高透明导电性膜与引出电极的密合性。因此,专利文献1中提出了在透明导电性膜上设置由结晶度低的金属氧化物构成的密合性改善层的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-228782号公报
发明内容
但是,通常由结晶度低的金属氧化物构成的金属氧化物层的透明性或导电性差,因此在专利文献1中,有密合性改善层使透明导电性薄膜的导电性或透明性恶化的担心。
本发明为了解决上述的问题,提供不设置密合性改善层而具有高的导电性和透明性、并且与引出电极的密合性提高的透明导电性薄膜及其制造方法。
本发明涉及一种透明导电性薄膜,其在树脂薄膜的一个表面上依次配置有电介质层及铟锡复合氧化物层,其特征在于,树脂薄膜为选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种,前述电介质层由有机物或有机物与无机物的混合物构成、并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下,在前述铟锡复合氧化物层的配置有电介质层的一侧的相反侧的表面存在2.1原子%以上且4.0原子%以下的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。
另外,本发明还涉及一种透明导电性薄膜的制造方法,其特征在于,在选自由聚酯系树脂薄膜、纤维素系树脂薄膜及酰亚胺系树脂薄膜组成的组中的一种树脂薄膜的一个表面上层叠由有机物或有机物与无机物的混合物构成、并且厚度为0.005μm以上且0.100μm以下的电介质层,在前述电介质层的配置有树脂薄膜的一侧的相反侧的表面上层叠铟锡复合氧化物层,得到透明导电性薄膜,所述透明导电性薄膜包含树脂薄膜、电介质层及铟锡复合氧化物层,并且在铟锡复合氧化物层的配置有电介质层的一侧的相反侧的表面存在2.1原子%以上且4.0原子%以下的可由三氟乙酸酐进行化学修饰的活性氢基。
本发明提供具有高的导电性和透明性、与引出电极的密合性提高了的透明导电性薄膜。另外,根据本发明的制造方法,能够简便地制作具有高的导电性和透明性、与引出电极的密合性提高的透明导电性薄膜。
附图说明
图1为本发明的一个实施方式的透明导电性薄膜的截面示意图。
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