[发明专利]用于测量外部磁场的磁场传感器和方法

权利要求书

1.一种用于测量外部磁场(100)的磁场传感器(1；2；4；6)，具有

-传感器装置(107；607)和

-磁通导体组件(110；210；410；610)，该磁通导体组件具有至少一个可切换元件(101至104；201至204；401至404；601至604)，所述可切换元件构造为用于将所述外部磁场(100)的磁通根据所述至少一个可切换元件(101至104；201至204；401至404；601至604)的切换状态转向到所述传感器装置(107；607)上，其中，所述传感器装置(107；607)设计为用于测量所述外部磁场(100)的经转向的磁通，其中，所述可切换元件(101至104；201至204；401至404；601至604)具有用于使所述外部磁场(100)的磁通转向的磁通导体元件(101b至104b；201b至204b；401b至404b)，所述磁通导体元件能够在饱和状态和不饱和状态之间切换；和

-分析处理装置(111)，所述分析处理装置设计为用于根据由所述传感器装置(107；607)测量出的、所述外部磁场(100)的经转向的磁通和所述至少一个可切换元件(101至104；201至204；401至404；601至604)的切换状态求取所述外部磁场(100)的值。

2.按照权利要求1所述的磁场传感器(1；2；4；6)，其中，所述至少一个可切换元件(101至104；201至204；401至404；601至604)布置成，使得所述外部磁场(100)的磁通在所述至少一个可切换元件(101至104；201至204；401至404；601至604)的第一切换状态及第二切换状态中沿互逆的方向被转向到所述传感器装置(107；607)上，所述互逆的方向是关于所述传感器装置(107；607)的测量方向而言。

3.按照权利要求1或2所述的磁场传感器(1；2；4；6)，其中，所述传感器装置(107；607)包括至少一个TMR传感器元件和/或GMR传感器元件。

4.按照权利要求1或2所述的磁场传感器(1；4)，其中，所述可切换元件(101至104；201至204；401至404)具有磁场产生装置(101a至104a；401a,404a)，所述磁场产生装置构造为用于通过施加磁控制场来在所述磁通导体元件(101b至104b；401b至404b)的饱和状态和不饱和状态之间切换。

5.按照权利要求1或2所述的磁场传感器(2；6)，具有控制装置(205)，所述控制装置构造为用于通过适配流过在所述磁通导体元件(201b至204b)中布置的电流导体(201a至204a)的电流的电流强度来在所述磁通导体元件(201b至204b)的饱和状态和不饱和态之间切换。

6.按照权利要求1或2所述的磁场传感器(4)，其中，所述可切换元件(101至104；201至204；401至404)具有调温装置，所述调温装置构造为用于通过适配所述磁通导体元件(401b至404b)的温度来在所述磁通导体元件(401b至404b)的饱和状态和不饱和状态之间切换。

7.按照权利要求1或2所述的磁场传感器(6)，其中，所述磁通导体组件(610)具有可磁化的屏蔽设备(605)，所述屏蔽设备构造为用于对所述传感器装置(607)至少区域地屏蔽所述外部磁场(100)，并且其中，所述至少一个可切换元件(601至604)包括被能接通和关断的电流流过的电流导体(601b至604b)，所述电流导体布置在所述屏蔽设备(605)上并且构造为用于使能够在所述屏蔽设备(605)中感生出的磁场在部分区域中饱和，使得所述外部磁场(100)的磁通穿过所述部分区域被转向到所述传感器装置(607)。