[发明专利]拍摄元件以及拍摄装置在审
申请号: | 201780029752.2 | 申请日: | 2017-02-28 |
公开(公告)号: | CN109155323A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 加藤周太郎;高木彻;濑尾崇志;安藤良次 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/34;G03B13/36;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电转换部 像素 反射部 反射 拍摄元件 方向交叉 光电转换 电荷 光入射 透射 入射 拍摄装置 | ||
拍摄元件是在第一方向上排列有多个像素的拍摄元件,其具备第一像素和第二像素,该第一像素具有对入射的光进行光电转换而生成电荷的第一光电转换部、和第一反射部,在与所述光入射的方向交叉的面中、在比所述第一光电转换部的中心更靠所述第一方向侧的区域、在至少一部分设置该第一反射部,该第一反射部将透射过所述第一光电转换部的光的一部分向所述第一光电转换部反射,该第二像素具有对入射的光进行光电转换而生成电荷的第二光电转换部、和第二反射部,在与所述光入射的方向交叉的面中、在比所述第二光电转换部的中心更靠与所述第一方向反向的一侧的区域、在至少一部分设置该第二反射部,该第二反射部将透射过所述第二光电转换部的光的一部分向所述第二光电转换部反射。
技术领域
本发明涉及拍摄元件以及拍摄装置。
背景技术
已知有一种在光电转换部之下设置反射层、由该反射层使透射过光电转换部的光向光电转换部反射的拍摄装置(专利文献1)。在现有技术中,反射层仅设置于相对于光电转换部而言相同的位置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-177704号公报
发明内容
根据本发明的第一技术方案,一种拍摄元件是在第一方向上排列有多个像素的拍摄元件,其中,具备:第一像素,其具有:对入射的光进行光电转换而生成电荷的第一光电转换部;和第一反射部,在与所述光入射的方向交叉的面中、在比所述第一光电转换部的中心更靠所述第一方向侧的区域、在至少一部分设置有该第一反射部,该第一反射部将透射过所述第一光电转换部的光的一部分向所述第一光电转换部反射;和第二像素,其具有:对入射的光进行光电转换而生成电荷的第二光电转换部;和第二反射部,在与所述光入射的方向交叉的面中、在比所述第二光电转换部的中心更靠与所述第一方向反向的一侧的区域、在至少一部分设置有该第二反射部,该第二反射部将透射了所述第二光电转换部的光的一部分向所述第二光电转换部反射。
根据本发明的第二技术方案,拍摄装置具备控制部,该控制部基于从对由具有聚焦透镜的光学系统所形成的像进行拍摄的所述拍摄元件的所述第一像素输出的信号、和从所述第二像素输出的信号来控制所述聚焦透镜的位置,以使得由所述光学系统所形成的像对焦于所述拍摄元件。
附图说明
图1是第一实施方式涉及的拍摄装置的主要部分构成图。
图2是示出第一实施方式涉及的拍摄元件的像素的配置例的图。
图3是用于说明入射于第一实施方式涉及的拍摄元件的光束的图。
图4是示出第一实施方式涉及的拍摄元件的截面构造的一例的图。
图5是示出变形例1涉及的拍摄元件的截面构造的一例的图。
图6是示出变形例2涉及的拍摄元件的截面构造的一例的图。
图7是示出变形例3涉及的拍摄元件的像素的配置例的图。
图8是示出变形例3涉及的拍摄元件的截面构造的一例的图。
图9是示出变形例3涉及的拍摄元件的截面构造的另一例的图。
图10是示出变形例4涉及的拍摄元件的截面构造的一例的图。
图11是示出变形例4涉及的拍摄元件的截面构造的另一例的图。
具体实施方式
(第一实施方式)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的