[发明专利]接近传感器、接近照度传感器、电子设备、及校准方法

权利要求书

1.一种接近传感器，其特征在于，具备：

发光部，其射出光；

受光部，其产生测量电流，所述测量电流包含：与从所述发光部射出并被检测对象物体反射的反射光的受光量对应的物体反射光电流、和与所述反射光以外的光的受光量对应的非检测对象物体反射光电流；及

第一执行部，其执行第一校准，所述第一校准为在所述测量电流的电流值为初始阈值以下的情况下，基于所述测量电流的电流值更新与所述非检测对象物体反射光电流的电流值对应的偏移值，在所述测量电流的电流值比所述初始阈值大的情况下，不更新所述偏移值。

2.根据权利要求1所述的接近传感器，其特征在于，具备：第二执行部，所述第二执行部执行第二校准，所述第二校准为将执行所述第一校准后的偏移值即第一偏移值，更新为对执行所述第一校准后由所述受光部产生的测量电流的电流值和所述第一偏移值进行了平均化处理的值。

3.根据权利要求2所述的接近传感器，其特征在于，

在所述第二校准中，在从执行所述第一校准后由所述受光部产生的测量电流的电流值减去所述第一偏移值得到的补正测量值为通常阈值以下的情况下，更新所述第一偏移值。

4.根据权利要求2所述的接近传感器，其特征在于，

交替地执行所述第一校准和所述第二校准，在所述第二校准中，在从执行所述第一校准后由所述受光部产生的测量电流的电流值减去所述第一偏移值得到的补正测量值为下限阈值以下的情况下，不更新所述第一偏移值。

5.根据权利要求2所述的接近传感器，其特征在于，

在所述第二校准中检测到外光的变化的情况下，不更新所述第一偏移值。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的接近传感器，其特征在于，具备：偏移值更新判定部，所述偏移值更新判定部对所述第一校准中所述偏移值是否被更新进行判定，

所述第一执行部在由所述偏移值更新判定部在所述第一校准中判定为所述偏移值未被更新的情况下，在所述第一校准中更新所述偏移值。

7.一种接近传感器的校准方法，其特征在于，包含如下步骤：

射出光的发光步骤；

产生测量电流的受光步骤，所述测量电流包含：与所述发光步骤中射出并被检测对象物体反射的反射光的受光量对应的物体反射光电流、和与所述反射光以外的光的受光量对应的非检测对象物体反射光电流；

第一执行步骤，执行第一校准，所述第一校准为在所述测量电流的电流值为初始阈值以下的情况下，基于所述测量电流的电流值更新与所述非检测对象物体反射光电流的电流值对应的偏移值，在所述测量电流的电流值比所述初始阈值大的情况下不更新所述偏移值。

8.根据权利要求7所述的接近传感器的校准方法，其特征在于，

包含：第二执行步骤，执行第二校准，所述第二校准为将在执行所述第一校准后的偏移值即第一偏移值，更新为对执行所述第一校准后所述受光步骤中产生的测量电流的电流值和所述第一偏移值进行了平均化处理的值。

9.根据权利要求8所述的接近传感器的校准方法，其特征在于，

在所述第二校准中，在从执行所述第一校准后由所述受光步骤产生的测量电流的电流值减去所述第一偏移值得到的补正测量值为通常阈值以下的情况下，更新所述第一偏移值。

10.根据权利要求8所述的接近传感器的校准方法，其特征在于，

交替地执行所述第一校准和所述第二校准，在所述第二校准中，在从执行所述第一校准后由所述受光步骤产生的测量电流的电流值减去所述第一偏移值得到的补正测量值为下限阈值以下的情况下，不更新所述第一偏移值。

11.根据权利要求8所述的接近传感器的校准方法，其特征在于，

在所述第二校准中，在检测到外光的变化的情况下，不更新所述第一偏移值。