[发明专利]用于离子注入的掺杂剂组合物

权利要求书

1.一种组合物，所述组合物适用于离子注入机用于产生非碳目标离子物质以产生离子束电流，所述组合物包含：

a.掺杂剂源，所述掺杂剂源包括所述非碳目标离子物质；

b.助剂物质，所述助剂物质包含：

(i)与所述掺杂剂源的电离能相比的较低电离能；

(ii)大于的总电离截面(TICS)；

(iii)0.2或更高的所述助剂物质的最弱的键的键离解能(BDE)与所述助剂物质的所述较低电离能的比；以及

(iv)不存在所述非碳目标离子物质；

所述掺杂剂源基于所述组合物的总体积计以主要量存在且其中所述掺杂剂源和所述助剂物质占据所述离子注入机并在其中相互作用以产生所述非碳目标离子物质；

包括所述非碳目标离子物质的掺杂剂源选自BF₃、GeF₄和SiF₄；

条件是当所述掺杂剂源包括BF₃时，所述助剂物质包括选自以下的至少一种物质：CS₂、C₂H₆、CH₃F、CH₃CN、CH₂ClF、CH₃Cl、CH₂F₂、CHF₃、CH₂Cl₂、CHCl₃、CHF₂Cl、CHFCl₂、CH₃Br、CH₂Br₂、CHBr₃、CF₃CN、HCN、CClF₃、CCl₂F₂、CCl₃F、CCl₄、CH₂CF₄、CH₃CF₃、CH₃NH₂、SiH₄、Si₂H₆、SiH₃Cl、SiH₂Cl₂、GeH₄和Ge₂H₆；

条件是当所述掺杂剂源包括GeF₄时，所述助剂物质包括选自以下的至少一种物质：CS₂、C₂H₆、CH₃F、CH₃CN、CH₂ClF、CH₃Cl、CH₂F₂、CHF₃、CH₂Cl₂、CHCl₃、CHF₂Cl、CHFCl₂、CH₃Br、CH₂Br₂、CHBr₃、CF₃CN、HCN、CClF₃、CCl₂F₂、CCl₃F、CCl₄、CH₂CF₄、CH₃CF₃、CH₃NH₂、SiH₄、Si₂H₆、SiH₃Cl、SiH₂Cl₂和B₂H₆；

条件是当所述掺杂剂源为SiF₄时，所述助剂物质选自以下的至少一种物质：CS₂、C₂H₆、CH₃F、CH₃CN、CH₂ClF、CH₃Cl、CH₂F₂、CHF₃、CH₂Cl₂、CHCl₃、CHF₂Cl、CHFCl₂、CH₃Br、CH₂Br₂、CHBr₃、CF₃CN、HCN、CClF₃、CCl₂F₂、CCl₃F、CCl₄、CH₂CF₄、CH₃CF₃、CH₃NH₂、和Ge₂H₆。