[发明专利]用于DC-DC转换器的功率级在审

专利信息
申请号: 201780030175.9 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN109155588A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 斯里尼瓦斯·文卡塔·维拉姆雷迪;马鲁盖什·普拉桑斯·苏布拉马尼亚姆 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 耦合到 高侧 电压输入 漏极端子 源极端子 低侧 功率级 电源电压 接地 输出级
【权利要求书】:

1.一种用于DC-DC电压转换器的功率级,所述功率级包括:

电压输入,其可耦合到电源电压;

高侧n沟道晶体管,其包括源极端子、漏极端子及栅极端子,所述漏极端子耦合到所述电压输入并且所述源极端子耦合到第一节点,所述第一节点可耦合到所述DC-DC转换器的输出级;

高侧p沟道晶体管,其包括源极端子、漏极端子及栅极端子,所述源极端子耦合到所述电压输入并且所述漏极端子耦合到所述第一节点;及

低侧n沟道晶体管,其包括源极端子、漏极端子及栅极端子,所述漏极端子耦合到所述第一节点并且所述源极端子耦合到接地。

2.根据权利要求1所述的功率级,其进一步包括控制电路,如果所述电源电压低于预定阈值,则所述控制电路可用于接收关于耦合到所述电压输入的电源电压的信息并且可用于致使所述高侧n沟道晶体管充当所述DC-DC转换器的有源高侧晶体管,同时将所述高侧p沟道晶体管停用,并且如果所述电源电压高于预定阈值,则所述控制电路可用于致使所述高侧n沟道晶体管充当所述DC-DC转换器的所述有源高侧晶体管,同时将所述高侧p沟道晶体管停用。

3.根据权利要求2所述的功率级,其中如果所述电源电压低于所述预定阈值电压,则所述控制电路可用于向所述高侧p沟道晶体管的所述栅极提供基本上等于所述电源电压的恒定电压,由此将所述高侧p沟道晶体管停用,并且可用于调节向所述高侧n沟道晶体管的所述栅极提供的栅极驱动器信号的占空比,以便调节所述DC-DC转换器的输出电压。

4.根据权利要求3所述的功率级,其进一步包括电荷泵电路,所述电荷泵电路可用于将向所述高侧n沟道晶体管的所述栅极提供的所述栅极驱动器信号的电压升压。

5.根据权利要求3所述的功率级,其中如果所述电源电压高于所述预定阈值电压,则所述控制电路可用于向所述高侧n沟道晶体管的所述栅极提供基本上等于0伏特的恒定电压,由此将所述高侧n沟道晶体管停用,并且可用于调节向所述高侧p沟道晶体管的所述栅极提供的栅极驱动器信号的所述占空比,以便调节所述DC-DC转换器的输出电压。

6.根据权利要求1所述的功率级,其进一步包括控制电路,如果所述电源包括第一数目个给定类型的电池,则所述控制电路可用于接收关于耦合到所述电压输入的电源的信息并且可用于致使所述高侧n沟道晶体管充当所述DC-DC转换器的有源高侧晶体管,同时将所述高侧p沟道晶体管停用,并且如果所述电源包括第二数目个给定类型的电池,则所述控制电路可用于致使所述高侧n沟道晶体管充当所述DC-DC转换器的所述有源高侧晶体管,同时将所述高侧p沟道晶体管停用。

7.根据权利要求6所述的功率级,其中所述给定类型的电池包括AA电池,所述第一数目个电池包括单个电池,并且所述第二数目个电池包括两个电池。

8.根据权利要求1所述的功率级,其中所述高侧n沟道晶体管包括NMOS晶体管,并且所述高侧p沟道晶体管包括PMOS晶体管。

9.一种DC-DC电压转换器,其包括:

电压输入,其可耦合到电源电压;

高侧n沟道晶体管,其包括源极端子、漏极端子及栅极端子,所述漏极端子耦合到所述电压输入并且所述源极端子耦合到第一节点;

高侧p沟道晶体管,其包括源极端子、漏极端子及栅极端子,所述源极端子耦合到所述电压输入并且所述漏极端子耦合到所述第一节点;

低侧n沟道晶体管,其包括源极端子、漏极端子及栅极端子,所述漏极端子耦合到所述第一节点并且所述源极端子耦合到接地;

电感器,其耦合在所述第一节点与转换器输出之间;及

电容器,其耦合在所述转换器输出与接地之间。

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