[发明专利]射频模块的选择性屏蔽有效
申请号: | 201780030744.X | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN109155303B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | H·M·阮;A·J·洛比安科;G·E·巴布科克;D·R·弗雷内特;G·库利;R·罗德里格兹 | 申请(专利权)人: | 天工方案公司 |
主分类号: | H01L23/66 | 分类号: | H01L23/66;H01L23/60 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 模块 选择性 屏蔽 | ||
1.一种封装射频模块,包括:
封装衬底;
射频屏蔽结构,在所述封装衬底上方延伸,所述射频屏蔽结构包括与所述封装衬底平行的屏蔽层;
射频部件,位于所述封装衬底上方且位于所述射频屏蔽结构的内部中,所述射频部件设置在所述屏蔽层与所述封装衬底之间;
保护层,位于所述屏蔽层上方,所述屏蔽层设置在所述保护层与所述射频部件之间;以及
天线,在所述射频屏蔽结构外部位于所述封装衬底上,所述射频屏蔽结构还包括设置在所述射频部件的第一侧面周围的焊线壁以在所述天线和所述射频部件之间提供屏蔽,以及设置在所述射频部件的第二侧面周围的保形结构,所述第二侧面与所述第一侧面相对。
2.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述焊线壁和所述保形结构在它们的顶部与所述屏蔽层电连接。
3.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述焊线壁设置在所述射频部件至少两个侧面周围。
4.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述屏蔽层包括铜。
5.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述保护层包括钛。
6.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频部件包括前端集成电路。
7.如权利要求6所述的封装射频模块,其中所述射频部件还包括晶体。
8.如权利要求6所述的封装射频模块,其中所述前端集成电路包括绝缘体上半导体晶片,其包括低噪声放大器或功率放大器中的至少一个。
9.如权利要求1所述的封装射频模块,其中所述射频部件附接到所述封装衬底,且所述天线印制在所述封装衬底上。
10.一种封装射频模块,包括:
封装衬底;
射频屏蔽结构,在所述封装衬底上方延伸,所述射频屏蔽结构包括设置在所述射频部件的第一侧面周围的焊线壁,以及设置在所述射频部件的第二侧面周围的保形结构,所述第二侧面与所述第一侧面相对;
射频部件,位于所述封装衬底上方且位于所述射频屏蔽结构的内部中;以及
天线,在所述射频屏蔽结构外部位于所述封装衬底上,所述射频屏蔽结构配置为在所述天线和所述射频部件之间提供屏蔽,所述焊线壁在所述封装衬底上方延伸得比所述天线更远。
11.如权利要求10所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构包括平行于所述封装衬底的屏蔽层,且所述射频部件设置在所述屏蔽层和所述封装衬底之间。
12.如权利要求11所述的封装射频模块,还包括位于所述屏蔽层上方的保护层,所述屏蔽层设置在所述保护层和所述射频部件之间。
13.一种封装射频模块,包括:
封装衬底;
射频屏蔽结构,在所述封装衬底上方延伸;
射频部件,位于所述封装衬底上方且位于所述射频屏蔽结构的内部中;以及
天线,在所述射频屏蔽结构外部位于所述封装衬底上,所述射频屏蔽结构配置为在所述天线和所述射频部件之间提供屏蔽,所述射频部件包括低噪声放大器和配置为将所述低噪声放大器选择性地电连接到所述天线的开关,所述射频屏蔽结构包括设置在所述射频部件的第一侧面周围的焊线壁,以在所述天线和所述射频部件之间提供屏蔽,以及设置在所述射频部件的第二侧面周围的保形结构,所述第二侧面与所述第一侧面相对。
14.如权利要求13所述的封装射频模块,其中所述射频屏蔽结构还包括屏蔽层,所述屏蔽层在所述射频部件上方提供屏蔽,并且使得所述封装射频模块在所述天线上方未被屏蔽。
15.如权利要求14所述的封装射频模块,其中所述焊线壁和所述保形结构在它们的顶部与所述屏蔽层电连接。
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