[发明专利]多晶硅棒及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅棒，其特征在于，棒表面部的磷浓度为0.015ppba以下，棒芯部的磷浓度P2相对于所述棒表面部的磷浓度P1之比P2/P1在2以下的范围内，所述棒芯部为包括所述多晶硅棒的籽晶棒且以所述籽晶棒为中心直径20mm为止的区域，所述棒表面部为从所述多晶硅棒的表面朝向所述棒芯部5～10mm为止的区域。

2.一种制造多晶硅块的方法，其为破碎权利要求1所述的多晶硅棒来制造多晶硅块的方法。

3.一种多晶硅棒的制造方法，其特征在于，

该制造方法为基于西门子法的多晶硅棒的制造方法，在将块状磷浓度为0.02ppba以下的多晶硅的籽晶棒组装于硅析出的反应炉内之后，将所述籽晶棒通电加热至1000℃以上且低于硅的熔点的温度，在所述通电加热的温度下向所述反应炉供给以三氯硅烷气体与氢气为主要成分的原料气体并使硅在所述籽晶棒的表面析出生长，

在将所述籽晶棒加热至1000℃以上且低于硅的熔点的温度之后，将四氯化硅气体与氢气的混合气体按所述混合气体中的四氯化硅气体的浓度为20体积％以上且90体积％以下的比例以炉壁温度维持在30℃以上的状态向所述反应炉供给10分钟以上，从而在所述反应炉内蚀刻所述籽晶棒的表面，接着，在所述加热的温度下供给以所述三氯硅烷气体与氢气为主要成分的原料气体。

4.根据权利要求3所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

所制造的所述多晶硅棒的块状铁浓度为0.04ppbw以下，块状镍浓度为0.007ppbw以下，块状铬浓度为0.005ppbw以下。

5.根据权利要求3所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

向所述反应炉供给的四氯化硅气体为回收从所述反应炉排出的含四氯化硅的气体并从该含四氯化硅的气体中分离除了四氯化硅气体以外的成分而提纯的四氯化硅气体。

6.根据权利要求3或4所述的多晶硅棒的制造方法，其中，

在向所述反应炉供给所述四氯化硅气体与氢气的混合气体期间，将炉内部压力维持在0.1MPaG以下。

7.一种多晶硅棒的制造装置，其特征在于，该制造装置为通过权利要求6所述的方法制造多晶硅棒的装置，该制造装置构成为：从反应炉排出的包含四氯化硅气体的氯硅烷气体、氢气、氯化氢气体的混合气体的处理设备具有两个系统，即收容0.1MPaG以上的反应排气的第1处理系统及收容低于0.1MPaG的反应排气的第2处理系统，在向所述反应炉供给所述四氯化硅气体与氢气的混合气体时，将炉内部压力维持在低于0.1MPaG的压力并将所述反应排气的路径切换为第2处理系统，在向所述反应炉供给以所述三氯硅烷气体与氢气为主要成分的原料气体时，将炉内部压力维持在0.1MPaG以上的压力并将所述反应排气的路径切换为所述第1处理系统。