[发明专利]在无机胞外纳米基质上不添加生长因子进行的神经干细胞增殖和分化

权利要求书

1.一种纳米结构，包括多个纳米螺旋体或纳米Z形折弯体，其中所述多个纳米螺旋体或纳米Z形折弯体由SiO₂或TiO_x制成，其中x在0.33 ≤ x ≤ 2的范围内，所述纳米螺旋体中的每一个的长度为至少540nm，并且每个纳米螺旋体包括至少两个节并且一个节为至少240nm，所述纳米Z形折弯体中的每一个的长度为至少550nm，并且每个纳米Z形折弯体包括至少三个节并且一个节为至少165nm，

其中由SiO₂制成的所述纳米螺旋体具有12.6±1.8μN/nm的劲度，

其中由SiO₂制成的所述纳米Z形折弯体具有19.7 ± 2.3μN/nm的劲度，

其中由TiOx制成的所述纳米螺旋体或所述纳米Z形折弯体具有不大于26μN/nm的独立于形状的劲度。

2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构包括多个左旋的纳米螺旋体。

3.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构包括多个右旋的纳米螺旋体。

4.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述纳米结构通过GLAD技术制作。

5.一种诱导神经干细胞增殖的方法，包括在不存在化学生长因子的情况下在根据权利要求1所述的纳米结构上培养所述神经干细胞。

6.一种诱导神经干细胞增殖和分化的方法，包括在不存在化学生长因子的情况下根据权利要求1所述的纳米结构上培养所述神经干细胞，其中所述多个纳米螺旋体或纳米Z形折弯体由SiO₂制成，

其中所述纳米螺旋体中的每一个的长度为至少540nm，并且每个纳米螺旋体包括至少两个节并且一个节为至少240nm，所述纳米Z形折弯体中的每一个的长度为至少550nm，并且每个纳米Z形折弯体包括至少三个节并且一个节为至少165nm，

其中所述纳米螺旋体具有12.6 ± 1.8μN/nm的劲度，所述纳米Z形折弯体具有19.7 ±2.3μN/nm的劲度。