[发明专利]蚀刻方法

说明书

包括：利用在处理容器内生成的处理气体的等离子体，在多个含硅区域(R1、R2、R3)中的任一个以上的表面形成蚀刻辅助层(ML)的第1步骤；和对蚀刻辅助层(ML)施加能量的第2步骤，能量是能够除去蚀刻辅助层(ML)的能量以上的能量，比位于蚀刻辅助层(ML)的正下方的区域能够被溅射的能量小，反复执行包括第1步骤和第2步骤的流程。

技术领域

本发明的实施方式涉及蚀刻方法，尤其涉及通过对多个被处理体进行的等离子体处理，有选择地对多个被处理体中的任一个以上的被处理体进行蚀刻的方法。

背景技术

在电子器件的制造中，有时对由氧化硅(SiO₂)构成的区域进行形成孔或槽这样的开口的处理。在这样的处理中，如专利文献1中记载的那样，一般将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中，对该区域进行蚀刻。

此外，已知相对于由氮化硅构成的第2区域，有选择地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的技术。作为这样的技术的一例，已知SAC(Self-Aligned Contact：自对准接触)技术。关于SAC技术，专利文献2中有记载。

作为SAC技术的处理对象的被处理体具有氧化硅制的第1区域、氮化硅制的第2区域和掩模。第2区域以区划形成凹部的方式设置，第1区域掩码该凹部，并且以覆盖第2区域的方式设置，掩模设置在第1区域上，在凹部之上提供开口。

在现有的SAC技术中，如专利文献2所记载的那样，为了对第1区域进行蚀刻，使用包含碳氟化合物气体、氧气和稀有气体的处理气体的等离子体。通过将被处理体暴露在该处理气体的等离子体中，在从掩模的开口露出的部分对第1区域进行蚀刻，形成上部开口。进而，通过将被处理体暴露在处理气体的等离子体中，被第2区域包围的部分、即凹部内的第1区域被自匹配地蚀刻。

通过采用这样的方式，自匹配地形成与上部开口连接的下部开口。此外，如果在开口的周围形成含有等离子体气体所包含的碳的来自等离子体气体的沉积物，则能够包含开口端面，因此能够有选择地仅对开口的内侧进行蚀刻。

另外，作为相关技术，已知使用了CHF系气体的等离子体的SiO₂的蚀刻方法(专利文献3)，使用了氢氟烃(CH₃F、CH₂F₂)、O₂和碳气体(CO₂)的氮化硅的选择蚀刻方法(专利文献4、专利文献5)，使用了碳氟化合物的接触孔的形成方法(专利文献6)，使用了CH₂F₂或CH₃F的SiC的蚀刻方法等(专利文献7)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：米国专利第7708859号说明书

专利文献2：日本特开2000-307001号公报

专利文献3：日本特表2001-521283号公报

专利文献4：日本特开平11-260798号公报

专利文献5：日本特开平10-303187号公报

专利文献6：日本特开2002-319574号公报

专利文献7：日本特开2012-114463号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，通过等离子体蚀刻，在形成图案的情况下，随着细微化的尺度(scale)变小，产生不能进行图案凹部的蚀刻的问题。即，为了保护凹部的开口端，当在开口端面以及凹部的内壁上形成来自等离子体气体的沉积物时，由于来自等离子体气体的沉积物的厚度，存在开口被堵塞，不能对开口内部进行蚀刻的问题。