[发明专利]增强型FET栅极驱动器集成电路

权利要求书

1.一种用于驱动增强型GaN场效应晶体管的集成栅极驱动电路，包括完全集成在单个芯片中的以下元件：

栅极驱动器，包括：

第一逻辑反相器电路；

具有输入和输出的电源电压电平转换器电路，所述电源电压电平转换器电路将所述输入处的接地参考0-5V数字信号转换为所述输出处的0-10V数字信号，所述电源电压电平转换器电路包括两个级；

第一级，所述第一级用作自举电源，包括增强型GaN晶体管，其具有连接至栅极端子和所述电源电压的源极端子，所述增强型GaN晶体管用作给自举电容器充电的二极管；以及

第二级，所述第二级包括第二逻辑反相器电路，当其输出为高时具有10V的电源，并且当其输出为低时具有5V的电源；以及

输出级；以及

连接到所述栅极驱动器的欠压锁定电路，包括：

用于产生预定电压参考的电压参考电路；以及

比较器，其用于接收所述电压参考电路的输出，并且如果电源电压低于所述预定电压参考时，用于阻止所述栅极驱动器的操作。

2.如权利要求1所述的集成栅极驱动电路，其中，所述集成栅极驱动电路中的所有晶体管都是增强型GaN场效应晶体管。

3.一种包括如权利要求2所述的集成栅极驱动电路的集成电路，其与待驱动的增强型GaN场效应晶体管集成。

4.如权利要求1所述的集成栅极驱动电路，其中，所述输出级包括由高侧增强型GaN晶体管和低侧增强型GaN晶体管形成的半桥电路，其中所述高侧增强型GaN晶体管相对于所述低侧增强型GaN晶体管是反相的。

5.如权利要求1所述的集成栅极驱动电路，还包括同步自举FET供电栅极驱动电路。

6.如权利要求5所述的集成栅极驱动电路，其中，所述同步自举FET供电栅极驱动电路与没有所述输出级的所述栅极驱动器本质上相同。