[发明专利]包含无任何贯通孔的内插层的半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构(10)的方法，所述方法包括：

·在选定条件下将氢物种和氦物种引入临时支撑件(1)，以便在其中预定深度处形成弱化平面(2)，并定义所述临时支撑件(1)的表面层(3)和剩余部分(4)；

·在所述临时支撑件(1)上形成互连层(5)，所述互连层包含通过沉积形成的接触垫(5a)和在所述接触垫(5a)之间的导电路径(5b)，从而使由互连层(5)构成的内插层无贯通孔；

·将至少一个半导体芯片(6)放置在所述互连层(5)上以使所述芯片的导电部件(6a)与所述互连层(5)的接触垫(5a)电耦合；

·将加固件(8)组装在所述至少一个半导体芯片(6)的背面上；

·对所述临时支撑件(1)提供热能和可选的机械能，以分离所述剩余部分(4)并提供所述半导体结构(10)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，引入所述氦物种的所述选定条件包括以1至210¹⁶at/cm³的剂量和以40keV至200keV的植入能量植入氦离子。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，引入所述氢物种的所述选定条件包括以0.5至1.5 10¹⁶at/cm³的剂量和以25keV至200keV的植入能量植入氢离子。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述互连层(5)具有在所述半导体芯片(6)一侧上的第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，并且其中所述接触垫(5a)同时设置在所述第一表面和第二表面上。

5.如权利要求4所述的方法，所述方法还包括在分离所述剩余部分(4)后至少部分地移除所述表面层(3)，以暴露出所述互连层(5)的第二表面的至少一些接触垫(5a)。

6.如权利要求4所述的方法，所述方法还包括在所述第一表面的所述接触垫(5a)上形成凸出部件(7a)，以利于所述半导体芯片(6)的导电部件(6a)与所述接触垫(5a)的电耦合。

7.如权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括在所述表面层(3)上和/或在所述表面层(3)中形成基本器件(11)的步骤。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述表面层(3)呈现的厚度小于约10微米。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中，两个并置的接触垫(5a)之间的距离为0.2微米至2微米。

10.如权利要求1所述的方法，其中，所述组装步骤在将所述至少一个半导体芯片(6)放置在所述互连层(5)上的步骤之后进行。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述组装步骤在将所述至少一个半导体芯片(6)放置在所述互连层(5)上的步骤之前进行。

12.如权利要求10或11所述的方法，其中，所述组装步骤还包括底料填充步骤，以在所述至少一个芯片(6)周围的自由空间中提供填充材料(9)。

13.如权利要求1或2所述的方法，所述方法还包括切割所述半导体结构(10)以提供至少一个未加工半导体装置的步骤，和封装所述至少一个未加工半导体装置以形成最终半导体装置的步骤。

14.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述互连层(5)呈现的厚度为200nm至20微米。

15.如权利要求1或2所述的方法，其中，与形成所述互连层(5)相关联的热预算为在低于250℃下4小时，或在350℃下少于20分钟。