[发明专利]基于间接带隙半导体纳米晶的大面积发光的太阳能聚集器在审
申请号: | 201780032736.9 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN109196660A | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | S·布洛维利;F·梅伊纳迪 | 申请(专利权)人: | 米兰比可卡大学 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 谭冀 |
地址: | 意大*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 间接带隙半导体 太阳能聚集器 塑料基体 玻璃状 纳米晶 发光 硅纳米晶 胶态 | ||
1.发光的太阳能聚集器,包含聚合物材料或基于二氧化硅的玻璃的本体(1)并包含胶态纳米晶(2),其特征在于后者是间接带隙半导体纳米晶。
2.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于该纳米晶(2)选自以下的胶态纳米晶:1)第IVA族或IUPAC命名法的第14族中的元素例如碳、硅、锗、锡,和它们的化合物例如SiC,以及它们的合金;2)第IIIA和VA族或IUPAC命名法的第13和15族中的元素的化合物例如BN、BP、BAs、B12As2、AlP、AlS、GaP,和它们的合金;3)第VIB和VIA族或IUPAC命名法的第6和16族中的元素的化合物例如MoS2;4)其他间接带隙半导体例如CuS2和GaSe。
3.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于该纳米晶(2)没有额外的钝化。
4.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于该纳米晶(2)覆盖有有机或无机材料的额外钝化层。
5.根据权利要求2的太阳能聚集器,其特征在于该间接带隙半导体纳米晶(2)具有至少一个尺寸比得上或小于对应的块体材料的玻尔激子直径。
6.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于其具有尺寸在5cm2和16m2之间的片状构造。
7.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于塑料本体是聚合物或基体或基于二氧化硅的玻璃状基体。
8.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于这样的基体包含以下聚合物中的至少一种:聚丙烯酸酯类和聚甲基丙烯酸甲酯类,聚烯烃类,聚乙烯基类,环氧树脂类,聚碳酸酯类,聚乙酸酯类,聚酰胺类,聚氨酯类,聚酮类,聚酯类,聚氰基丙烯酸酯类,有机硅类,聚乙二醇类,聚酰亚胺类,氟化聚合物,聚纤维素和衍生物例如甲基纤维素、羟甲基纤维素,聚嗪和基于二氧化硅的玻璃。
9.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于该纳米晶以重量计在0.001%和5%之间的百分数分散在塑料基体或基于二氧化硅的玻璃状基体中。
10.根据权利要求1构造的聚集器,其特征在于该间接带隙纳米晶分散在覆盖该聚集器的本体(1)的膜中。
11.根据权利要求1的太阳能聚集器,其特征在于其具有平面的或弯曲的形状。
12.用于建筑或移动结构的窗,包含至少一个由根据权利要求1的发光的太阳能聚集器构造的零件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的